[实用新型]一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置有效
| 申请号： | 201120352733.3 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN202259195U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈波;黄成强;李超波;饶志鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 赵芳;徐关寿 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 坚硬 无机 材料 装置 | ||
1.一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：包括主支架和副支架，所述主支架上安装有刻蚀腔和分子泵，所述刻蚀腔与分子泵连接，所述副支架上安装有预真空腔，所述预真空腔与刻蚀腔连接，所述预真空腔内安装有将片盘输送到刻蚀腔的机械手，所述预真空腔与刻蚀腔均与抽真空用的机械泵连接；所述刻蚀腔的下方安装有可带动片盘在刻蚀腔内运动的下电极，所述下电极与RIE射频电源连接；所述刻蚀腔和预真空腔上均连接有进气管道，所述进气管道与控制其通气的通气系统连接，所述刻蚀腔的进气口上连接有ICP射频电源；所述机械手与下电极分别与带动其运动的伺服电机连接，所述伺服电机均与控制其运动的伺服电机控制器连接。
2. 根据权利要求1所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述刻蚀腔上配设有排气系统，所述排气系统包括前级泵，所述前级泵与分子泵连接，所述前级泵上连接有检漏仪。
3. 根据权利要求1或2所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述刻蚀腔上与分子泵的接口处设有测量刻蚀腔气压的薄膜硅，并设有调压阀。
4. 根据权利要求3所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述副支架上安装有工控机主机。
5. 根据权利要求4所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述RIE射频电源安装在主支架上，其安装高度与下电极的高度相当。
6. 根据权利要求5所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述ICP射频电源安装在主支架上，其安装高度与刻蚀腔的高度相当。
7. 根据权利要求6所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述预真空腔与刻蚀腔之间、所述前级泵与分子泵之间、所述分子泵与刻蚀腔之间、所述机械泵与刻蚀腔之间、所述机械泵与预真空腔之间均安装有阀门，所述阀门均与控制其开关的气动阀控制器连接。
8. 根据权利要求7所述的一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：所述预真空腔与机械泵之间、所述刻蚀腔与机械泵之间、所述分子泵与刻蚀腔之间、所述分子泵与前级泵之间、所述前级泵与检漏仪之间均通过管道连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
