[实用新型]多晶硅生产装置

权利要求书

1.一种多晶硅生产装置，其特征在于，包含：第一工艺管道、第二工艺管道、多晶硅反应炉、包含硅芯电极的硅棒；

所述第一工艺管道和所述第二工艺管道分别接至所述多晶硅反应炉，所述包含硅芯电极的硅棒位于所述多晶硅反应炉内；

所述第一工艺管道将SiCl₄和H₂按预设的第一摩尔配比比例输送至所述多晶硅反应炉内进行反应，得到Si和HCl，得到的所述Si沉积在硅芯电极上，直至所述硅芯电极上的Si沉积至硅棒的直径达到预设门限Do，其中，SiCl₄和H₂的反应所需的温度由启动加热后的所述硅芯电极提供；

所述第二工艺管道在所述硅棒的直径达到预设门限Do时，将SiHCl₃和H₂按预设的第二摩尔配比比例输送至所述多晶硅反应炉内，利用所述硅芯电极的残余温度进行反应，得到Si、HCl和SiCl₄，由SiHCl₃和H₂反应得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产装置，其特征在于，

所述第一工艺管道上设有第一阀门。

3.根据权利要求1所述的多晶硅生产装置，其特征在于，

所述第二工艺管道上设有第二阀门。

4.根据权利要求1所述的多晶硅生产装置，其特征在于，

所述硅芯电极带有电源输入端，该电源输入端与标准电源和/或高压电源相连。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅生产装置，其特征在于，

所述Do的取值为当所述硅棒的外端温度为SiCl₄和H₂反应所需的温度，而所述硅芯电极为被高温熔断的极限值时，所述硅棒的直径。