[实用新型]一种免拆装在线清洁的新型过滤装置

说明书

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种从气体中过滤固体杂质的过滤装置，尤其是涉及一种采用了压力对比方式来判断滤芯堵塞情况，通过上下推拉沉积物刮环，清除滤芯表面网状外套上的大量沉积物，实现免拆装在线清洁，通过两道排污阀的间隔开启关闭，实现在线排除污渍与粉尘。

背景技术

GaN材料是直接带隙型宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.4eV，GaN及其合金材料能覆盖从紫外（200nm）到红光（650nm）的频谱，从而成为短波长发光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料，被誉为第三代半导体材料，具有带隙宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等优点。在宽禁带半导体材料中，氮化镓（GaN）由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰。发展缓慢，但进入90年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展，GaN半导体材料及器件的发展十分迅速，目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。

用GaN基高效率蓝光LED制作的超大屏幕全色显示，可用于室内室外各种场合的动态信息显示。高效率白光发光二极管作为新型高效节能固体光源，使用寿命超过10万小时，可比白炽灯节电5-10倍，达到了节约资源、减少环境污染的双重目的。目前，GaN基LED的应用十分广泛，人们每天都能会见到它的身影，在交通信号灯里，彩色视频广告牌上、小孩的玩具中甚至闪光灯里都能见到。GaN基LED的成功引发了光电行业中的革命。GaN基蓝光半导体激光器用于制作下一代DVD，它能比现在的CD光盘储存密度高20倍以上。

利用GaN材料，还可以制备紫外（UV）光探测器，它在火焰传感、臭氧检测、激光探测器等方面具有广泛应用。此外，在电子器件方面，利用GaN材料，可以制备高频率、大功率电子器件，有望在航空航天、高温辐射环境、雷达与通信等方面发挥重要作用。

目前制备GaN外延生长的主要方法有金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）、氢化物汽相外延（HVPE）等方法。其中HVPE的生长速率比MOCVD高得多，可达到100um/h，最高可达到1000um/h，由于HVPE是准平衡反应，相对MOCVD法，HVPE生成的厚膜GaN缺陷密度要小很多，所以HVPE方法生长GaN技术倍受青睐，引起了国内外相关人员的研究兴趣，大部分HVPE技术分都是采用富氨（NH₃）生长方法，而镓（Ga）元素的输运借助于氯（Cl）元素，最常见的是GaCl和GaCl3，再加上氢气（H₂）做载气，导致尾气中大量氯化铵（NH4Cl）的产生，这是目前HVPE技术一直所面临的问题。

HVPE外延设备近年发展迅速，生长的GaN层越来越厚，由15μm、20μm、50μm增加到100μm、500μm以及更厚，目前还出现了厘米量级。单次生长的2英寸衬底数量由少变多，由1片、3片、增加到7片、19片、21片，目前有公司已公布能够做到单次生长49片。衬底尺寸由小变大，大致经历2英寸、3英寸、4英寸、6英寸，这些巨大发展也将HVPE的部分缺点放大。随着衬底尺寸变大、数量变多，厚膜生长时间长，导致尾气量急剧增加，过滤芯上沉积的氯化铵（NH4Cl）的量迅速增加、沉积速度加快，维护周期急剧缩短，带来的问题有：1、随着衬底尺寸变大数量增多，导致尾气量急剧增加，过滤芯上氯化铵（NH4Cl）的沉积速度加快，数量上升，维护周期急剧缩短；2、厚膜生长时间长，尾气过滤装置难以长期保持正常工作；3、滤芯堵塞情况难以判断，滤芯过滤效果不良时影响生长材料的质量，致使产品合格率降低；4、维护的次数增多，设备的利用率下降。要保证生产高效率的进行，必须实现过滤装置清洁的简洁、方便、快速。

实用新型内容

本实用新型是针对上述背景技术存在的缺陷，提供一种在过滤装置输运物质的入口和出口处分别安装压力表，通过二者的压差判断过滤装置的堵塞情况；在滤芯外围设计可推拉沉积物刮环，推拉刮环便可达到在线清洁滤芯的效果；滤芯外围设计网状外套作为第一层，过滤掉较大的沉积物；滤芯采用单端密封单端螺纹固定方式，通过螺纹固定在外壳上，并且在装置包含的所有过滤芯外围设计挡环，使传输物质从滤芯下方均匀的通过各个滤芯；沉积物排出通道设计两道排污阀门间接开启实现在线排除沉积物。

本实用新型设计出的过滤装置可以方便判断滤芯堵塞情况，简便实现免拆装在线清理，适用于长时间工作。该装置操作简单，维护方便，延长维护周期，提高设备利用率、为保证生产顺利进行提供保障。