[实用新型]一种电抗器

说明书

技术领域

 本实用新型涉及一种电抗器。

背景技术

在电抗器及电磁线圈的设计中，首先要计算磁通量与励磁电流，与之相关的关键参数之一便是“等效磁路长度”。

常用电抗器所使用的“日”字形铁芯的线圈的节点磁通关系如附图1所示，铁芯包括中柱和位于其两侧的边柱。分析各节点的磁通Φ的关系可以得出

由于

可得到

其中Rm为磁回路的磁阻，θ为励磁线圈的磁动势。

    而由

可以得到

其中ρ_m为磁阻率，l_m为等效磁路长度，S_m为磁路截面积。

并且

由上述各式可得

即中柱的等效磁路长度是各边柱的等效磁路长度的并联之和，l_m1小于l_m2或l_m3。而回路的磁阻

在等效磁路长度不相等的情况下，会导致线圈出现三相磁阻不平衡，进而出现三相阻抗不平衡、三相励磁电流不平衡的情况。为防止上述不平衡的出现，就需要改变各个磁路的截面积。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种通过改变磁路截面积来降低线圈的三相磁阻不平衡度、三相阻抗不平衡度、三相励磁电流不平衡度的电抗器。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种电抗器，包括铁芯、绕设在所述的铁芯上的线圈，所述的铁芯包括相平行设置的中柱、两根边柱，所述的铁芯呈“日”字形，所述的中柱、所述的边柱上均绕设有所述的线圈，所述的铁芯上具有一间隙，所述的间隙将所述的铁芯分为上部和下部，所述的间隙中填充绝缘材料，所述的中柱的截面积小于所述的边柱的截面积。

优选的，所述的中柱的截面积为所述的边柱的截面积的0.8-0.99倍。

优选的，所述的边柱的截面、所述的中柱的截面均为矩形。

优选的，其还包括支架，所述的铁芯设置于所述的支架上。

优选的，所述的间隙具有上表面、下表面，所述的下表面与所述的线圈的上端部相平齐。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：由于本实用新型的电抗器采用中柱截面积小于边柱截面积的铁芯，可以减小线圈的三相磁阻不平衡度、三相阻抗不平衡度、三相电流不平衡度。

附图说明

附图1为铁芯线圈的节点磁通关系图。

附图2为本实用新型的一种电抗器的主视图。

附图3为本实用新型的一种电抗器的俯视图。

附图4为本实用新型的一种电抗器的侧视图。

以上附图中：1、铁芯；2、线圈；3、支架；4、中柱；5、边柱；6、间隙；7、上部；8、下部；9、绝缘材料。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。

实施例一：参见附图2至附图4所示。

一种电抗器，包括铁芯1、绕设在铁芯上的线圈2、支架3。铁芯1设置于支架3上，为叠片式铁芯，其包括相平行设置的中柱4、两根边柱5，铁芯1呈“日”字形，中柱4、边柱5上均绕设有线圈2。铁芯1上具有一间隙6，间隙6具有上表面、下表面，下表面与线圈2的上端部相平齐，间隙6将铁芯分为上部7和下部8。间隙6中填充绝缘材料9。

边柱5的截面、中柱4的截面均为矩形，且中柱4的截面积小于边柱5的截面积，由此来减小线圈2的三相磁阻不平衡度、三相阻抗不平衡度和三相励磁电流不平衡度。最为优选的，中柱5的截面积为边柱5的截面积的0.8-0.99倍，此时，可以将上述三相不平衡度均减小至小于10%。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。