[实用新型]仿生磁力鞋垫有效

专利信息
申请号: 201120304013.X 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN202179197U 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 王德福;章杰峰;倪娜 申请(专利权)人: 特兴贸易有限公司
主分类号: A43B17/02 分类号: A43B17/02;A43B17/08;A61H39/04;A61N2/08
代理公司: 泉州市博一专利事务所 35213 代理人: 洪渊源
地址: 362001 福建省厦门市思明区观*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 仿生 磁力 鞋垫
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种鞋垫,特别是一种仿生磁力鞋垫。

背景技术

足部是健康的晴雨表,双足和内脏以及其他器官有着极为密切的关联,人体穴位达31个之多,而磁场作用于穴位局部可产生与针刺一样的效应,影响血浆中的CANP和CGNP而发生明显趋向性改变,磁动力能是皮肤电阻下降,增加上皮细胞的通透性,在磁场热效应作用下能使汗腺导管扩张,增加其导管的开放率,促进组织的新陈代谢。

现有技术已有将磁性材料应用于鞋垫,然现有技术中鞋垫材料的使用常没有根据磁性材料给人体带来的变化而作相应的改变,如上一段所述,磁场作用可促进排汗、促进新陈代谢,现有技术中鞋垫常没有相应地使用透气性材料,而使脚底积汗太多,既不舒适又不健康;又如现有技术中鞋垫的软硬度和厚度以及材料的采用常不相配适,使其减震效果不佳,由于磁性体其硬度较高,在受到较大的冲击力时,脚底为磁性体所伤或者产生强烈的疼痛感。为此,我们提供一种新型的仿生磁力鞋垫以克服上述问题是非常必要的。

发明内容

本实用新型提供一种仿生磁力鞋垫,以克服现有技术中存在的磁力鞋垫减震、排汗效果不佳、磁性体按摩部位不科学、按摩效果不明显、鞋垫因相对于鞋体滑移使彼此磨损大而降低鞋垫使用寿命和使用性能等问题。

本实用新型采用如下技术方案:

仿生磁力鞋垫,包括垫体,该垫体至少由活性材料层和减震层两层构成,该活性材料层连接设于该减震层上方,该减震层还设有若干磁性体。

上述磁性体分布按人体足底经络、穴位布局排布。

上述减震层设有三个上述磁性体,三个该磁性体分别位于上述垫体的掌部、中心处以及脚跟处。

上述磁性体为柱状磁性针灸石,且该柱状磁性针灸石高度方向与上述减震层厚度方向平行。

上述磁性体既可以埋设于上述减震层,且该磁性体位于该减震层厚度方向中心偏上方,该磁性体还可以嵌于该减震层上表面处。

上述垫体底面设有若干防滑条纹。

由上述对本实用新型结构的描述可知,和现有技术相比,本实用新型具有如下优点:利用对足部穴位的按摩和磁场对足底局部和穴位的作用效果,增强了细胞膜透性,降低了血管通透性,改善微循环,加速渗出物的吸收和消散;还改善血液循环和组织营养,促进和延长睡眠,提高组织代谢;另外,活性材料层具有优越透气、排汗作用,由PU制成的减震层具有较高弹性和使用寿命,该鞋垫底面还设有防滑条纹,减少鞋垫与鞋体的摩擦,减少二者的磨损,使鞋垫保持较好的使用性能。

附图说明

图1为鞋垫装配图示意图。

图2为鞋垫垫面朝上结构示意图。

图3为鞋垫垫面朝下结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。

参照图1、图2,仿生磁力鞋垫,包括垫体,该垫体1至少由活性材料层11和减震层12两层构成,该活性材料层11连接设于该减震层12上方,活性材料层11具有优越透气、排汗作用,由PU制成的减震层12具有较高弹性和使用寿命;该减震层12还设有若干磁性体13,该磁性体13分布按人体足底经络、穴位布局排布,利用对足部穴位的按摩和磁场对局部和穴位的作用效果,可以使细胞膜透性增强,血管通透性降低,改善微循环,加速渗出物的吸收和消散;还能改善血液循环和组织营养,使某些酶的活性增强,促进和延长睡眠,提高组织代谢。

继续参照图1,上述减震层12设有三个上述磁性体13,三个该磁性体13分别位于上述垫体1的掌部、中心处以及脚跟处,该磁性体13位置合理,对足底起到很好的按摩效果,该磁性体13数量设置,使生产成本更合理。

上述磁性体13为柱状磁性针灸石,且该柱状磁性针灸石高度方向与上述减震层12厚度方向平行。

上述磁性体13既可以埋设于上述减震层12,且该磁性体13位于该减震层12厚度方向中心偏上方;继续参照图1,该磁性体13还可以嵌于该减震层12上表面处,后者为本实用新型的优选实施方式,继续参照图2,上述垫体1上表面设有若干凸起14,该磁性体13设于部分该凸起14的下方,该凸起14可对足底起到很好的按摩效果,使用者使用更舒适和健康。

参照图3,上述垫体1底面设有若干防滑条纹15,该防滑条纹15可减少鞋垫与鞋体的摩擦,减少二者的磨损,使鞋垫保持较好的使用性能。

上述仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。

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