[实用新型]一种具有绝缘散热基板的电子元件有效
申请号: | 201120303382.7 | 申请日: | 2011-08-18 |
公开(公告)号: | CN202363451U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 吴献桐;蔡欣仓;吴柏毅 | 申请(专利权)人: | 吴献桐 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/367 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 董彬 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 绝缘 散热 电子元件 | ||
1.一种具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,包括:
散热基板;其中,该散热基板为经绝缘处理且不包括锂元素的镁合金板;
电路层,直接贴覆形成于该散热基板的板体表面处;以及
电子结构体,以覆晶方式电连接于该电路层,且该电子结构体的至少部分绝缘结构体,是经由一中介层而固定于该散热基板,以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。
2.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该散热基板为经物理式绝缘处理程序及/或化学式绝缘处理程序处理的镁合金板。
3.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该散热基板为经纳米真空溅镀绝缘处理程序、无电解镍绝缘处理程序抑或微弧氧化绝缘处理程序处理的镁合金板。
4.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该电路层为至少以一金属层、一铟锑氧化物透明电极层或一石墨烯电极层为一导电层,经由蚀刻程序后所得致。
5.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,还包括覆晶凸块,该覆晶凸块电连接于该电子结构体与该电路层之间,且该覆晶凸块是以蒸镀、溅镀、电镀或印刷方式形成于该电子结构体与该电路层之间;其中,该覆晶凸块为包括锡铅凸块或无铅凸块在内的金属凸块。
6.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该电子结构体为LED发光晶粒,抑或为逻辑IC晶粒或逻辑IC基板,抑或为内存IC晶粒或内存IC基板。
7.如权利要求1所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该中介层为导热胶,抑或为锡团、锡堆或锡膏。
8.一种具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,包括:
散热基板;其中,该散热基板为经绝缘处理的镁合金板;
导电层,直接形成于该散基热板的板体表面;以及
电子结构体,具有至少一电极部,该至少一电极部以非打线方式电连接于该导电层,且该电子结构体的至少部分绝缘结构体,是经由一中介层而固定于该散热基板,以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。
9.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该散热基板为经物理式绝缘处理程序及/或化学式绝缘处理程序处理的镁合金板。
10.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该散热基板为经纳米真空溅镀绝缘处理程序、无电解镍绝缘处理程序抑或微弧氧化绝缘处理程序处理的镁合金板。
11.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该导电层为金属层、铟锑氧化物透明电极层或石墨烯电极层。
12.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该导电层经由蚀刻程序以得致一电路层。
13.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该至少一电极部以覆晶封装方式电连接于该导电层。
14.如权利要求13所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,还包括覆晶凸块,该覆晶凸块电连接于该至少一电极部与该导电层之间,且该覆晶凸块是以蒸镀、溅镀、电镀或印刷方式形成于该至少一电极部与该导电层之间;其中,该覆晶凸块为包括锡铅凸块或无铅凸块在内的金属凸块。
15.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该电子结构体为LED发光晶粒,抑或为逻辑IC晶粒或逻辑IC基板,抑或为内存IC晶粒或内存IC基板。
16.如权利要求8所述的具有绝缘散热基板的电子元件,其特征在于,该中介层为导热胶,抑或为锡团、锡堆或锡膏。
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