[实用新型]下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉

说明书

技术领域：

本实用新型涉及单晶硅生产设备技术领域，特别涉及一种下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉。

背景技术：

多晶硅铸锭炉是多晶硅料转化为多晶硅锭工艺过程中的必备设备，而多晶硅锭经工艺处理后又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。多晶硅锭作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的多晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。生产中，将达到一定纯度要求的多晶硅装入炉中，按工艺要求加热熔化、定向长晶、热处理、冷却出炉。多晶硅重熔长晶的这样一个核心环境，我们称之为热场，热场不单为多晶硅熔化提供大量的热能，在长晶过程中又提供合理的温度梯场以得到符合要求的多晶硅晶体。

为了提高硅锭的生长效果，多晶炉的下腔体设置保温结构，一般常见的多晶炉的下腔体保温结构，都是采用全水冷结构，容易造成保温效果差、安全系数低等现象。

实用新型内容：

有鉴于此，有必要提供一种保温效果良好、安全系数高的下腔体保温结构。

还有必要提供一种采用下腔体保温结构的多晶炉。

一种采用下腔体保温结构的多晶炉，包括热场、保温毡、水道和下腔体，下腔体包括圆筒部和底部，圆筒部由内圆筒和外圆筒焊接形成，且内圆筒和外圆筒之间形成第一空间，底部同样由内层和外层焊接形成，且两层之间形成第二空间，热场安装在下腔体内，保温毡铺在下腔体里面，水道焊接于下腔体的圆筒部的第一空间内。

一种下腔体保温结构，包括水道和下腔体，下腔体包括圆筒部和底部，圆筒部由两层圆筒焊接形成，且两层圆筒之间形成第一空间，底部同样由内层和外层焊接形成，且两层之间形成第二空间，水道焊接于下腔体的圆筒部的第一空间内，下腔体的底部外层设置空气进气口、空气出气口和测温口，空气进气口与第二空间相通，空气出气口与第二空间相通。

本实用新型提供的下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉，在长晶过程中提供合理的温度梯场，在下腔体的底部铺保温毡提高保温效果，便于硅锭的生长；如果硅锭在成长过程中，发生泄漏，因下腔体的底部不通水，不会引起大的安全事故；如在测温过程中发现温度过高，可通过出气口，排出气体，保证炉体内部温度适合硅锭的生长。

由此可见，本实用新型的有益效果在于：保温效果好，便于硅锭的生长；作业过程中减少安全隐患。

附图说明：

附图1是本实用新型下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉剖面示意结构图；

附图2是本实用新型下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉之下腔体保温结构前视图；

附图3是本实用新型下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉之下腔体保温结构剖面图；

附图4是图3中下腔体保温结构剖面图局部放大图。

图中：

热场1、保温毡2、水道3、下腔体4、圆筒部41、外圆筒411、内圆筒412、第一空间413、底部42、内层421、外层422、第二空间423、空气进气口424、空气出气口425、测温口426

具体实施方式：

请同时参看图1、图2、图3与图4，一种采用下腔体保温结构的多晶炉，包括热场1、保温毡2、水道3和下腔体4，下腔体4包括圆筒部41和底部42，圆筒部41由外圆筒411和内圆筒412两层焊接形成，且外圆筒411和内圆筒412之间形成第一空间413，底部42同样由内层421和外层422焊接形成，且内层421和外层422之间形成第二空间423，热场1安装在下腔体4内，保温毡2铺在下腔体4底部42的内层421内表面上，水道3焊接于下腔体4的圆筒部41的第一空间413内。

请结合图3与图4，一种下腔体保温结构，包括水道3和下腔体4，下腔体4包括圆筒部41和底部42，圆筒部41由外圆筒411和内圆筒412两层焊接形成，且外圆筒411和内圆筒412之间形成第一空间413，底部42同样由内层421和外层422焊接形成，且内层421和外层422之间形成第二空间423，水道3焊接于下腔体4的圆筒部41的第一空间413内，下腔体4的底部42外层422设置空气进气口424、空气出气口425和测温口426，空气进气口424与第二空间423相通，空气出气口425与第二空间423相通。

本实用新型提供的下腔体保温结构及采用下腔体保温结构的多晶炉，在长晶过程中提供合理的温度梯场，在下腔体4的底部42铺保温毡提高保温效果，便于硅锭的生长；如果硅锭在成长过程中，发生泄漏，因下腔体4的底部42不通水，不会引起大的安全事故；如在测温过程中发现温度过高，可通过空气出气口425排出气体，保证炉体内部温度适合硅锭的生长。