[实用新型]一种可控硅控制的交流开关检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种检测电路，尤其涉及一种可控硅控制的交流开关检测电路，属于电路检测技术领域。

背景技术

目前，对大电流负载的控制常采用可控硅进行控制，可控硅串联负载，直接连接交流输入端，通过可控硅的导通或截止对负载进行开关控制，为了限制可控硅两端电压上升率过大，保证可控硅安全运行，一般在可控硅的两端并联RC阻容吸收电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

由于外界干扰，有可能使可控硅误动作，为了监测可控硅是否正常导通或截止、对负载进行正确的开关控制，现有的技术通过检测负载两端的电压，经过电压采集、波形整形输出来判断可控硅的交流开关是否正常工作。但是这种检测方式存在明显的缺陷，主要是可控硅截止时，由于RC阻容吸收电路的存在，和负载构成串联电路，负载两端还有一定的电压，尤其在干扰较大时，负载两端的电压更大，有可能使波形整形输出端输出不正确的信号，引起对可控硅的导通或截止进行误判断，导致检测结果不准确。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种检测电路，克服现有技术中的缺陷，可控硅控制的交流开关检测电路，其能够有效地避免开关电路中与可控硅两端并联的RC阻容吸收电路对检测结果的影响，能够准确检测出可控硅元件的导通或截止工作状态，同时能准确计算出可控硅的导通角。

为实现以上目的，本实用新型提出的技术方案是一种可控硅控制的交流开关检测电路，其特征是，包括

连接在交流输入端的开关电路，

与所述开关电路相连的电压采集电路，

与所述电压采集电路相连的波形整形电路，

与所述波形整形电路输出相连的、可对所述波形整形电路输出的数字信号进行处理的一控制单元。

与所述开关电路相连的触发电路。

所述控制单元或为CPU、或为MCU、或为其它具备运算控制功能的控制器。

所述触发电路或为RC触发、或为专用触发芯片、或为一般可控硅触发电路。

所述开关电路包括串联在交流输入端之间的一可控硅、与所述可控硅串联的一负载。

所述触发电路与所述可控硅控制极连接。

所述可控硅两端并联RC阻容吸收电路，所述RC阻容吸收电路包含一RC阻容吸收电路电阻和一RC阻容吸收电路电容，所述RC阻容吸收电路电阻和RC阻容吸收电路电容相串联。

所述电压采集电路包括由四个整流二极组成的桥式整流器，所述桥式整流器输入端通过一串联的降压电阻连接至所述双向可控硅的两端，所述桥式整流器的输出端连接至一光电耦合器的输入端，所述桥式整流器的输出端连接至一滤波电容，所述滤波电容与所述光电耦合器的输入端相并联。

所述光电耦合器的输入端为光源发光二极管，所述光电耦合器的输出端为受光器光敏三极管。

所述的波形整形电路中包含整形三极管，所述整形三极管的基极通过一偏置电阻与参考工作电源连接，同时与所述光敏三极管的集电极连接，所述光敏三极管的发射极接地。

所述整形三极管的发射极、集电极至少包括两种接法，一种较佳的方案为：所述整形三极管的发射极接地，所述整形三极管的集电极通过一偏置电阻与参考工作电源连接，所述集电极同时与控制单元连接。整形三极管整形后的电压数字信号通过集电极输出后进入控制单元进行运算。

另一种较佳的方案为：所述整形三极管的发射极通过一偏置电阻与地相连，所述发射极同时与控制单元连接，所述整形三极管的集电极接参考工作电压。整形三极管整形后的电压数字信号通过集电极输出后进入控制单元进行运算。与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型检测电路可准确检测可控硅元件的导通或截止，同时，通过波形整形电路输出的方波信号的上升沿和下降沿推算出可控硅的导通角，电路结构简单，成本低，导通或截止检测准确可靠，导通角时刻准确，应用范围广。

附图说明

图1为传统可控硅控制的交流开关检测电路的电路原理图（以双向可控硅为例）；

图2为本实用新型一实例的电路原理图（以双向可控硅为例）；

图3为图2交流输入端输入的正常交流电压u(t)波形图；