[实用新型]一种网格状高性能碳纳米管场发射阵列有效
| 申请号: | 201120284086.7 | 申请日: | 2011-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN203242592U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
| 发明(设计)人: | 张研;李驰 | 申请(专利权)人: | 张研;李驰 |
| 主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304 |
| 代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 陈建和 |
| 地址: | 210096 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 网格 性能 纳米 发射 阵列 | ||
【权利要求书】:
1.一种网格状高性能碳纳米管场发射阵列,包括导电基底、生长在基底上的网格状定向碳纳米管阵列;其特征是:碳纳米管阵列成网格状分布,是一个整体结构。
2.如权利要求1所述的网格状高性能碳纳米管场发射阵列碳纳米管场发射阵列,其特征是:网格状为正方形、圆形或六边形。
3.如权利要求1所述的网格状高性能碳纳米管场发射阵列碳纳米管场发射阵列,其特征是:碳纳米管阵列的高度为100nm-2μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张研;李驰,未经张研;李驰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120284086.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种真空紫外光电离源
- 下一篇:安装温度补偿装置的断路器接头





