[实用新型]一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件

权利要求书

1.一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，包括VDMOS主芯片、N+ 衬底层、硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、PN二极管P+区、PN二极管N+区，其特征是，所述N+ 衬底层设置在硅片下方，硅片热氧化后作为栅氧化层，淀积多晶硅层并光刻多晶硅区形成栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅层上保护层，同时将源极上的二氧化硅层腐蚀掉即将源极的导电窗口打开；所述N+区域与外部的二极管串联形成所述PN二极管，各PN二极管分别形成VDMOS功率器件的所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域；并且，所述栅漏电极二极管保护区域和所述栅源二极管保护区域分别设置在所述晶体管功率器件的两边缘部。

2.根据权利要求1所述的一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件，其特征是所述PN二极管和的击穿电压，低于栅电极和源电极之间的击穿电压，以及低于栅电极和漏电极之间的击穿电压，并且，同时高于10倍域值电压。