[实用新型]一种用于LTE系统基站中12w功率放大器有效

专利信息
申请号: 201120283526.7 申请日: 2011-08-05
公开(公告)号: CN202183752U 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 李福明 申请(专利权)人: 深圳市鼎芯无限科技有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F3/20
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所 44256 代理人: 王琦
地址: 518000 广东省深圳市宝安区民治街道梅龙路与民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 lte 系统 基站 12 功率放大器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及到一种功率放大器,尤其是涉及一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器。

背景技术

射频功率放大器是LTE基站系统中的关键部件。目前用于LTE基站系统中的多通道功率放大器,既要做到满足邻信道抑制的设计要求,又要做到高效率的要求,在众多的功率放大器中选择合适的各级管子,采用合适的高效率技术,是一个富有挑战性的设计过程。

基于现有功率放大器的不足之处,本发明人设计了本实用新型“一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器”。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有技术的不足所要解决的技术问题是:提供一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器,它既满足邻信道抑制的要求,又能做到很高的效率,还能保证八通道的一致性。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器,输入端(10)通过微带线与第一级放大器连接,然后与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与电桥连接,与第四级放大器连接,再与四分之一波长线连接,与一个耦合器连接后,再与大功率隔离器连接,与微带线连接,最后通过输出接头输出。

电桥为Yantel公司的3dB电桥HC2500P03。

本实用新型一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器的有益效果是:

配合外部DPD(数字预失真)补偿电路,满足了邻信道抑制的要求并且有一定的富余量,临道抑制比(ACPR)指标很好,ACPR值为:-51/-52dBc±5MHz,-56/-57dBc±10MHz。由于电路以及各级放大器选择合适,而且末级采用了doherty的电路结构,从而实现了LTE的12w技术条件要求,功率放大器功率效率达30%以上。它除了能够满足邻信道抑制和功耗小的设计要求,其他技术指标也很好,能够非常好的在LTE基站系统中应用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1为本实用新型的电气原理图。

附图标记说明:

10、输入端        20、输出接头

具体实施方式

参照图1,本实用新型是这样实施的:

在图1中,一种用于LTE基站系统中12w功率放大器,输入端通过50欧姆微带线与第一级放大器连接,再与一个自动增益控制电路连接,再与第二级放大器连接后,与第三级放大器连接,然后与Yantel公司的3dB电桥HC2500P03连接,与第四级放大器连接,再与35欧姆的四分之一波长线连接,与一个30dB耦合器连接后,再与隔离器连接,与50欧姆微带线连接,最后通过输出接头输出。

在本实施例中,第一级放大器采用NXP公司的BGA6589,第二级放大器采用NXP公司的BGA7027,第三级放大器采用NXP公司的BLF6G27-10G,第四级放大器采用NXP公司的BLF7G27LS-90P的doherty电路形式。30dB耦合器的输出端口与外部DPD(数字预失真)连接,用来进行功率采样。

以上所述,仅是本实用新型一种用于LTE系统基站中的12w功率放大器的较佳实施例而已,并非对本实用新型的技术范围作任何限制,凡是依据本实用新型的技术实质对上面实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术的范围内。

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