[实用新型]蓝光LED外延芯片结构有效
| 申请号： | 201120278484.8 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN202189826U | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张志伟;吉爱华;吉爱国;吉慕璇;吉磊 | 申请（专利权）人： | 吉爱华 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 261061 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：包括依次设置的钼衬底、铟或钼合金层、P+GaN接触层、PAIGaN过渡层、InGaN/GaN 发光层和N-GaN接触层。
2.如权利要求1所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述钼衬底的厚度为50～150um。
3.如权利要求1所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述铟或钼合金层的厚度为1～10um。
4.如权利要求1所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述P+GaN接触层的厚度为150～500um。
5.如权利要求4所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述P+GaN接触层的厚度为260um。
6.如权利要求1所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述InGaN/GaN 发光层的厚度为2000～5000um。
7.如权利要求1所述的蓝光LED外延芯片结构，其特征在于：所述N-GaN接触层的厚度为200～900um。
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