[实用新型]阵列基板和液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板和液晶显示面板。

背景技术

高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

AD-SDS型阵列基板是上述液晶显示面板的重要部件。图1为现有技术中AD-SDS型阵列基板的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，如图1和图2所示，该AD-SDS型阵列基板包括衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线12和数据线13，栅线12和数据线13限定的像素区域内形成有第一电极14、第二电极15和薄膜晶体管16。其中，第一电极14位于衬底基板11之上，第一电极14上形成有栅极绝缘层17和钝化层18，第二电极15位于第一电极14上方的钝化层18之上，并且第二电极15为设置有通孔19的平面结构，第一电极14为一平面结构，通孔19的形状为条状。其中，第一电极14为公共电极时，第二电极15为像素电极；第一电极14为像素电极时，第二电极15为公共电极。

现有技术中，由于AD-SDS型阵列基板中第一电极为一平面结构，因此第二电极和第一电极的重叠面积较大，这导致了AD-SDS型阵列基板的存储电容增加，从而增大了液晶显示面板的充放电时间。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示面板，用以减少液晶显示面板的充放电时间。

为实现上述目的，本实用新型提供一种阵列基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，所述第一电极上开设有结构孔。

进一步地，所述结构孔位于所述第二电极的下方。

进一步地，所述结构孔的宽度小于所述第二电极的宽度。

进一步地，所述第二电极和所述第一电极重叠部分的宽度包括0.2微米至2.0微米。

进一步地，所述结构孔的形状为条状。

进一步地，所述第二电极为设置有通孔的平面结构。

进一步地，该阵列基板还包括：形成于所述第二电极之上的保护层，所述第一电极位于所述保护层之上。

进一步地，所述保护层包括栅极绝缘层和/或钝化层。

进一步地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

为实现上述目的，本实用新型还提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板的技术方案中，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实用新型中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。

附图说明

图1为现有技术中AD-SDS型阵列基板的结构示意图；

图2为图1中A-A向剖视图；

图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为图3中B-B向剖视图；

图5为本实用新型实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；

图6为图5中C-C向剖视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板进行详细描述。

图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3中B-B向剖视图，如图3和图4所示，该阵列基板包括：衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线12和数据线13，栅线12和数据线13限定的像素区域内形成有第一电极14、薄膜晶体管16和与第一电极14形成多维电场的第二电极15，第一电极14上开设有结构孔20。