[实用新型]低噪声低失调电压的霍尔传感器有效
| 申请号： | 201120271648.4 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN202167545U | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈宏冰;徐敏;曾科;陈忠志 | 申请（专利权）人： | 上海腾怡半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪声 失调 电压 霍尔 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.低噪声低失调电压的霍尔传感器，包括霍尔元件，其特征在于，所述霍尔元件为圆形，包括在N型晶圆上淀积形成的N型外延层以及在N型晶圆上形成的圆形高压P阱隔离环。
2.根据权利要求1所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，所述隔离环包括在N型晶圆上形成的P型埋层、在P型埋层上扩散生成的高压P阱和低压P阱、以及在所述低压P阱内的P+注入区。
3.根据权利要求2所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，还包括四组成圆周均布的扩散区。
4.根据权利要求3所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，所述扩散区包括在所述N型外延层上扩散生成的高压N阱和低压N阱，以及在所述低压N阱内的N+注入区。
5.根据权利要求4所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，还包括在对应的所述P+注入区、N+注入区剥离氧化物形成接触孔后淀积金属引出的霍尔元件端子。
6.根据权利要求1所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，在所述隔离环外设有一圈在所述N型外延区域形成的接地的P+注入区。
7.根据权利要求1所述的低噪声低失调电压的霍尔传感器，其特征在于，所述高压P阱的掩模层比P型埋层的掩模层大0.05um。
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