[实用新型]多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能级硅原料清洗设备，尤其是一种多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置。

背景技术

多晶硅和单晶硅生产过程中会产生很多废料，如生产中报废的多晶硅原料、单晶硅头尾边皮、多晶硅头尾边皮、单晶碎片、多晶碎片、单晶埚底料等，这些废料都是昂贵的硅原料，对其进行处理后在重新利用是一项节约成本的大工程。光伏电池制作行业为得到纯净的硅原料，达到99.9999％以上的纯度要求，须将上述废料清洗，去除杂质和油污。针对上述不同的废料进行破碎、碱洗清洗、打磨等工艺后再统一进行酸洗、溢流漂洗、甩干、烘干，最后检验包装后入库备用。在硅料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅料的表面或缝隙等仍有可能残留酸，如果直接干燥，残留酸会对硅料进行氧化，为提高清洗效果，还需在酸洗、溢流漂洗后进行超声漂洗，采用超声波清洗，去除残留酸。现有的超声波清洗机一般只有一对超声波发生装置，超声波发生装置安装在清洗水池内相对的侧壁上。这种超声波清洗机，只有一对超声波发生器，清洗效果较差。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为了解决现有技术中的不足，本实用新型提供一种多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置，在清洗水池的侧面和底面均设有超声波发生器，效果更好，且具有加热装置，进一步提高清洗效果。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置，包括清洗水池和设置在清洗水池内的超声波发生器，清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，所述的超声波发生器分别设置在清洗水池的侧壁和底部，还具有对清洗液加热的加热装置。

为提高效果，所述的超声波发生器设置在清洗水池的其中两个侧壁上。

作为优选，所述的超声波发生器设置在清洗水池的其中两个相互平行的侧壁上。

所述的加热装置为由温控开关控制启闭的加热管，所述的加热管的数量为两根，分别设置在清洗水池的两个相互平行的侧壁上。

本实用新型的有益效果是，本实用新型的多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置在清洗水池的侧面和底面均设有超声波发生器，效果更好，且具有加热装置，进一步提高清洗效果。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置最佳实施例的俯视示意图；

图2是本实用新型的多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置最佳实施例的立体示意图。

图中：1.清洗水池，11.侧壁，12.底部，2.超声波发生器，3.加热装置。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

图1图2是本实用新型结构示意图一种多晶或单晶硅原料清洗用超声波溢流清洗装置，包括清洗水池1和设置在清洗水池1内的超声波发生器2，清洗水池1内装有清洗液并具有循环补水装置，超声波发生器2分别设置在清洗水池1的两相平行的侧壁11和底部12，还具有对清洗液加热的加热装置3，加热装置3为由温控开关控制启闭的加热管，加热管的数量为两根，分别设置在清洗水池1的两个相互平行的侧壁11上。

以下介绍本实用新型的具体使用，工作时同时开启侧壁11和底部12的超声波发生器2，开启加热装置3，控制清洗液温度为60℃±5℃，在这个温度环境下，维持2小时左右清洗效果最好。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。