[实用新型]激光刻蚀OLED显示器阳极薄膜材料的装置有效
申请号: | 201120268538.2 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN202189836U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 赵裕兴;狄建科;张伟 | 申请(专利权)人: | 苏州德龙激光有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 王玉国;陈忠辉 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 刻蚀 oled 显示器 阳极 薄膜 材料 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种运用激光刻蚀OLED显示器阳极薄膜材料的微加工设备。
背景技术
近年来,有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)已经成为非常热门的新兴平板显示器产业,主要是因为OLED显示器具有自发光、广视角(达170度以上)、反应时间快(1μs量级)、发光效率高、工作电压低(3-10V),面板厚度薄(小于2mm)、可制作大尺寸与可弯曲式(挠性)面板,制程简单,且具有低成本的潜力(预计比TFT—LCD便宜约20%)。
OLED器件结构大致可分为基板、阴极、有机发光物质和阳极等四个主要区域。为了将电子或者空穴有效注入有机材料,如前所述,降低注入能垒是第一要务,由于大部分应用于电致发光的有机材料的LUMO能级在2.5eV-3.5eV,及HOMO能级也在5-6eV,因此阳极必须是一个高功函数的金属,才能得到最低的注入能垒。其中作为阳极区域,主要有透明导电氧化物(transparent conducting oxide,TCO)及金属两大类,自身具有良好的导电性、稳定的化学性及形态和高透明度。其中透明导电氧化物有ITO、ZnO、AZO等;导电透明金属主要有高功函数Ni、Au、及Pt。最常被当作阳极导电体的金属氧化物是氧化铟锡薄膜(indium tin oxide,ITO),制作主要是以溅镀或者化学气相沉积。
基板上制作阳极薄膜之后,一般需要在薄膜上刻蚀设计好电极图形。传统的电极制作是通过化学湿刻方法来实现。这种方法从设计到蚀刻的过程中,设计到完成时间长,制程工序多,投入较多治具和日常耗材,需要较多人力,污染环境,耗能大,制作电极图形的线宽较大(大于0.1mm),使得整体OLED发光效率降低,所以此化学湿法刻蚀过程需要含多个工序的管控过程,加大良率及效率提升的难度,目前含有重金属废液废气处理也没有很合适的办法,制作好的电极图形线宽比较大,发光效率低,成品的品质低等固有缺点。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种激光刻蚀OLED显示器阳极薄膜材料的装置,实现对OLED显示器的阳极进行蚀刻,得到较细较稳定的线宽,且不损伤基底,从而克服传统化学湿刻方法存在的工序复杂繁琐、间距控制困难、选择性不强、污染环境等缺点。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
激光刻蚀OLED显示器阳极薄膜材料的装置,特点是:高频率短脉冲激光器的输出端布置有电动光闸,电动光闸的输出端设置有电动扩束镜,电动扩束镜的输出端布置有45度全反射镜,45度全反射镜的输出端依次布置有振镜和扫描场镜,扫描场镜正对于三轴吸附平台,所述三轴吸附平台上的一侧安装有离子风吹气系统,所述三轴吸附平台上的另一侧安装有集尘系统,所述三轴吸附平台上的对角位置分别安装有CCD对位观察系统,所述高频率短脉冲激光器和振镜均连接至工控机,所述三轴吸附平台上设有平台真空吸附孔,平台真空吸附孔通过真空吸附连接气管与真空泵相连通。
进一步地,上述的激光刻蚀OLED显示器阳极薄膜材料的装置,其中,所述高频率短脉冲激光器是波长为190nm~1100nm、脉宽在100ps~100ns、频率在10KHz~50MHz的激光器。
本实用新型技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
本实用新型通过不同波长的高频率的脉冲激光器作为激光源,对OLED显示器阳极材料进行激光蚀刻,使OLED显示器阳极材料在高频率的短脉冲激光器的作用下气化而达到蚀除的目的,通过高精度平台的移动拼接和小幅面振镜扫描蚀刻来完成阳极区域线条刻蚀,产生的粉尘在经过吹气系统和大流量积尘系统集尘,加工出无污染、线性稳定、功能完好的OLED显示器产品。不仅提高制程良率,提升产品品质及使用寿命,而且刻蚀直线性好,激光刻蚀OLED显示器阳极材料线宽可以做细,发光效率变高,对于复杂的OLED显示器曲面电极图形都可实现高效率、高精度加工。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
图1:本实用新型的光路系统示意图;
图2:三轴吸附平台的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择