[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201120267528.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN202142547U | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 程抒一;陈勤妙;倪一;李振庆;窦晓鸣 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人: | 陈伟勇 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,包括基底、缓冲层、吸收层,其特征在于,所述基底采用FTO玻璃基板,所述基底上设有一窗口层,所述窗口层采用致密TiO2做为n型的窗口层。
2.根据权利要求1所述的一种化合物薄膜太阳电池,其特征在于:所述窗口层上设置所述缓冲层,所述缓冲层采用In2S3做为缓冲层。
3.根据权利要求2所述的一种化合物薄膜太阳电池,其特征在于:所述吸收层采用CISe吸收层。
4.根据权利要求3所述的一种化合物薄膜太阳电池,其特征在于:所述吸收层上设置Mo背电极。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种化合物薄膜太阳电池,其特征在于:所述基底、窗口层、缓冲层、吸收层及背电极组成了Mo/CISe/In2S3/TiO2/FTO的太阳能电池结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的