[实用新型]一种分布式不间断电源

权利要求书

1.一种分布式不间断电源，其特征在于，所述电源包括：

同步母线；

频率母线；

均流母线；以及

分别连接所述同步母线、频率母线和均流母线的至少一个不间断电源，所述不间断电源将本机电流和采样电流比较后发送给所述均流母线并接收所述均流母线反馈的平均电流后生成均流信号，所述不间断电源根据市电采样生成同步信号和频率信号并接收所述同步母线反馈的同步信号以及所述频率母线反馈的频率信号后，根据反馈的所述同步信号生成电压信号，并结合所述均流信号对整流后的市电进行逆变处理后向负载供电。

2.如权利要求1所述的分布式不间断电源，其特征在于，所述电源还包括：

连接所述不间断电源，接收所述不间断电源发送的切换旁路输出电路向所述负载供电的切换信号的逆变/旁路状态母线。

3.如权利要求2所述的分布式不间断电源，其特征在于，所述不间断电源进一步包括：

向所述负载输出供电电压的绝缘栅双极型晶体管逆变单元；

连接所述均流母线，将本机电流发送给所述均流母线并接收所述均流母线反馈的平均电流后、根据所述平均电流与本机电流比较产生的差值生成均流信号的均流控制信号生成单元；

连接所述同步母线和频率母线，根据市电采样生成同步信号和频率信号并接收所述同步母线反馈的同步信号以及所述频率母线反馈的频率信号的频率信号及同步信号生成单元；

连接所述频率信号及同步信号生成单元，根据所述同步母线和频率母线反馈到所述频率信号及同步信号生成单元的同步信号生成电压信号的电压控制信号生成单元；

输入端连接所述均流控制信号生成单元、电压控制信号生成单元和绝缘栅双极型晶体管驱动单元、输出端连接所述绝缘栅双极型晶体管逆变单元，根据所述电压控制信号生成单元生成的电压信号和所述均流控制信号生成单元生成的均流信号驱动所述绝缘栅双极型晶体管逆变单元进行逆变的绝缘栅双极型晶体管驱动单元。

4.如权利要求3所述的分布式不间断电源，其特征在于，所述频率信号及同步信号生成单元包括：单片机芯片U1、放大器A1、光耦VT2、光耦VT3、光耦VT4、光耦VT5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13以及电容C1；

电阻R1的一端连接市电采样，电阻R1的另一端连接放大器A1的同相输入端，放大器A1的反相输入端连接6V直流电，放大器A1的反向输入端同时通过电容C1连接放大器A1的同相输入端，放大器A1的同相输入端同时通过电阻R2连接放大器A1的输出端，放大器A1的输出端通过电阻R4连接单片机芯片U1的中断引脚，放大器A1的输出端同时通过电阻R3连接6V直流电；光耦VT2中发光二极管的阳极通过电阻R9连接一直流电，光耦VT2中发光二极管的阴极连接单片机芯片U1的第一串口，光耦VT2中光敏三极管的集电极连接所述频率母线，光耦VT2中光敏三极管的发射极接地；光耦VT3中发光二极管的阳极通过电阻R10连接一直流电，光耦VT3中发光二极管的阴极连接所述频率母线，光耦VT3中光敏三极管的集电极连接单片机芯片U1的第二串口，光耦VT3中光敏三极管的发射极接地；光耦VT4中发光二极管的阳极通过电阻R12连接一直流电，光耦VT4中发光二极管的阴极连接单片机芯片U1的第三串口，光耦VT4中光敏三极管的集电极连接同步母线13，光耦VT4中光敏三极管的发射极接地；光耦VT5中发光二极管的阳极通过电阻R13连接一直流电，光耦VT5中发光二极管的阴极连接所述同步母线，光耦VT5中光敏三极管的集电极作为反馈同步信号引脚连接，光耦VT5中光敏三极管的发射极接地。