[实用新型]交指电容

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，特别是一种应用于空间电子、雷达、卫星、公路交通、民航系统、电子对抗等领域的交指电容。

背景技术

多层PCB、MMIC、LTCC等多层电路工艺已广泛应用于空间电子、雷达、卫星、公路交通、民航系统、电子对抗等系统中。其中的电容一般需要通过交指电容或MIM电容来实现，其中交指电容是利用交指条间耦合电场构成电容。

普通的交指电容并联自谐振频率较低，能够获取的容值也很有限。

发明内容

本实用新型旨在解决传统交指电容并联自谐振频率较低、容值小等技术问题，以提供具有并联自谐振频率高、容值大等优点的交指电容。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。

本实用新型的交指电容，包括依次叠置的顶敷铜层1、中敷铜层2和底敷铜层3，顶敷铜层1与中敷铜层2之间、中敷铜层2与底敷铜层3之间为绝缘介质5；顶敷铜层1由上传输线、交指部和下传输线构成，其中交指部由数对交指条9相对交叉构成交指状，交指条的指尖处为开路端8，交指状上边的交指条末端均与呈倒T型的上传输线之横边相连，交指状下边的交指条末端均与T型的下传输线之横边相连；中敷铜层2对应顶敷铜层1交指部的位置镂空，对应顶敷铜层1上下开路端位置处设有两条中敷铜层条带6，每个开路端与中敷铜层条带6之间均设有过孔4。

本实用新型的交指电容，其中所述的交指状上边开路端的连线为与上传输线T型横边相平行的直线，交指状下边开路端的连线为与下传输线T型横边相平行的直线。

本实用新型的交指电容，其中所述的中敷铜层条带6为缺陷地结构。

本实用新型交指电容的有益效果：提高了交指电容并联自谐振频率，其容值也有较大提高。

附图说明

图1 本实用新型的结构原理图

图2 本实用新型的顶敷铜层结构示意图

图3 本实用新型的中敷铜层结构示意图

图4传统交指电容的传输响应曲线

图5 本实用新型交指电容的传输响应曲线

图6 本实用新型应用于高通滤波器示意图

图7 本实用新型应用于加强低通滤波器的谐波抵制示意图

图中标号说明

1 顶敷铜层、2 中敷铜层、3 底敷铜层、4 进孔、5 绝缘介质、6 中敷铜层条带、7 DGS、8 开路端、9 交指条

具体实施方式

本实用新型详细结构、应用原理、作用与功效，参照附图1-3，通过如下实施方式予以说明。

本实用新型的交指电容，包括依次叠置的顶敷铜层1、中敷铜层2和底敷铜层3，顶敷铜层1与中敷铜层2之间、中敷铜层2与底敷铜层3之间为绝缘介质5；顶敷铜层1由上传输线、交指部和下传输线构成，其中交指部由数对交指条9相对交叉构成交指状，交指条的指尖处为开路端8，交指状上边的交指条末端均与呈倒T型的上传输线之横边相连，交指状下边的交指条末端均与T型的下传输线之横边相连；中敷铜层2对应顶敷铜层1交指部的位置镂空，对应顶敷铜层1上下开路端位置处设有两条中敷铜层条带6，每个开路端与中敷铜层条带6之间均设有过孔4。交指状上边开路端的连线为与上传输线T型横边相平行的直线，交指状下边开路端的连线为与下传输线T型横边相平行的直线。本实用新型的交指电容，其中所述的中敷铜层条带6为缺陷地结构。

本实用新型的交指电容实现方法结合多层电路工艺，通过两种方法分别来提高容值和自谐振频率。其一，通过DGS（缺陷地）技术来增大容值；其二，借助过孔将多个交指条的开路端连接在一起，提高并联自谐振频率的同时增大了有效容值。相比同样尺寸的传统交指电容，采用本方法构造的交指电容在并联自谐振频率和容值上均有较大提高。参见图4和图5，本实用新型交指电容的传输响应曲线明显优于传统交指电容的传输响应曲线。

图6为本实用新型应用于高通滤波器示意图。图7中交指电容和蛇形线电感并联形成带阻，为本实用新型应用于加强低通滤波器的谐波抵制示意图。