[实用新型]具有OVP保护的移动终端充电控制电路有效

专利信息
申请号: 201120248840.1 申请日: 2011-07-14
公开(公告)号: CN202159993U 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 卫涛;郑海;周建华 申请(专利权)人: 上海戎讯通信技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 刘粉宝
地址: 201203 上海市浦东新区龙东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 ovp 保护 移动 终端 充电 控制电路
【权利要求书】:

1.具有OVP保护的移动终端充电控制电路,所述控制电路包括CPU、充电限流电阻、外部充电电压滤波电容,其特征在于,所述控制电路还包括中功率p沟道mosfet管和n沟道mosfet管,所述中功率p沟道mosfet管、n沟道mosfet管与相应的外围电路组成OVP保护电路。

2.根据权利要求1所述的具有OVP保护的移动终端充电控制电路,其特征在于,所述外围电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第一滤波电容、第二滤波电容、稳压管以及电流防倒灌二极管,第一分压电阻的一端连接到中功率p沟道mosfet管的源极、第一滤波电容的一端以及第二分压电阻的一端,第一分压电阻的另一端连接到中功率p沟道mosfet管的栅极、第一滤波电容的另一端以及n沟道mosfet管的漏极;第二分压电阻的另一端连接到n沟道mosfet管的栅极、稳压管的负极、第二滤波电容的一端以及CPU的CHR_IN管脚;稳压管的正极以及第二滤波电容的另一端接地;中功率p沟道mosfet管的漏极连接到电流防倒灌二极管的正极,n沟道mosfet管的源极连接到CPU的GATDRV管脚;电流防倒灌二极管的负极连接到CPU的ISENS管脚。

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