[实用新型]一种磁控溅射镀膜装置

说明书

技术领域

    本发明涉及镀膜，特别涉及一种磁控溅射镀膜时在结构不变的情况下可以实现两种组份薄膜制备的镀膜装置。

背景技术

镀膜技术也叫薄膜技术，是在真空条件下采用物理或化学方法，使物体表面获得所需的膜体。镀膜技术是最初起源于20世纪30年代，直到70年代后期才得到较大发展的一种技术。

真空镀膜技术及设备在当今和未来都拥有十分宽泛的应用领域和广阔的发展前景。真空镀膜技术特别用在制造大规模集成电路的电学膜、数字式纵向与横向均可磁化的数据纪录储存膜中。还有能充分展示和应用各种光学特性的光学膜、在计算机显示用的感光膜、在TFT、PDP平面显示器上的导电膜和增透膜、在建筑、汽车行业上应用的玻璃镀膜和装饰膜、在包装领域用防护膜、阻隔膜。另外，在装饰材料上具有各种功能装饰效果的功能膜；在工、模具上应用的耐磨超硬膜：在纳米材料研究方面的各种功能性薄膜等等都是真空镀膜技术及设备在广泛应用的基础上得到的不断发展的领域。镀膜材料上，种类也很多，包括金属、合金、氧化物等。

在很多的应用场合下，多组份的膜层比单组份的膜层具有更优良的性能，如钛铝合金具有密度低，具有高的比强度和比弹性模量，具有良好的抗蠕变及抗氧化能力等。目前还没有一项专门的设备可以实现既能够单独地镀单组份膜，又能够实现双组份膜层和多组分膜层的镀膜工作。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的镀膜装置。本实用新型的镀膜装置应用磁控溅射原理不仅要实现单组份镀膜，还要能够实现多组分镀膜。

为了达到上述发明目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种磁控溅射镀膜装置，该镀膜装置中包括有靶结构，其特征在于，所述的靶结构中包括有第一单组份靶、第二单组份靶和靶仓，所述的第一单组份靶和第二单组分靶各占据一个靶位，对称地放置于所述的靶仓中，第一单组份靶和第二单组份靶均连接有电源。

在本实用新型中，所述的第一单组份靶和第二单组份靶分别连接有不同的外接电源，该外接电源或为直流、或为交流、或为射频电源。当镀单组份膜层时，第一单组份靶或者第二单组份靶连接外接电源，镀膜的基片放置于双靶的共同区域。

在本实用新型中，所述的第一单组份靶和第二单组份靶连接共同的交流电源。当镀双组份膜层时，第一单组份靶和第二单组份靶连接共同的交流外接电源，镀膜的基片放置双靶的共同区域。

在本实用新型中，所述的第一单组份靶和第二单组份靶均为平面靶结构、或者为圆柱靶结构。

在本实用新型中，所述的第一单组份靶为纯Ta靶，第二单组份靶为纯Nb靶，且为圆柱靶。

基于上述技术方案，本实用新型的镀膜设备具有如下技术效果：

1.本实用新型的镀膜设备在结构不变的情况下可实现两种单组份薄膜的制备，还可以实现多组份薄膜的制备。

2.采用本实用新型的镀膜设备来制备的膜层可应用到一些特定领域，如需要组份膜层来控制膜层厚度，机械性能的领域。

3.本实用新型的双靶结构各自采用纯金属结构，其相对于合金靶材，更具有价格优势。

附图说明

图1是本实用新型磁控溅射镀膜装置中靶结构的放置示意图。

图2是本实用新型磁控溅射镀膜装置在镀单组分膜时的结构连接示意图。

图3是本实用新型磁控溅射镀膜装置在镀双组分膜时的结构连接示意图。

图4相同指标下(Nb2O5)x(Ta2O5)y作为高折射率材料和Ta2O5作为高折射率材料的光谱对比图。

图5 相同指标下(Nb2O5)x(Ta2O5)y作为高折射率材料和Ta2O5作为高折射率材料的通带光谱对比图。

具体实施方式

下面我们结合附图和具体的实施案例来对本实用新型的镀膜装置做进一步的详细阐述，以求更为清楚明了地理解本实用新型的结构和工作过程，但不能以此来限制本实用新型的保护范围。

请看图1，图1是本实用新型磁控溅射镀膜装置中靶结构的放置示意图。本实用新型涉及到磁控溅射镀膜装置的设计改进，该镀膜装置中包括有靶结构，靶结构的作用是向基片上镀膜，镀膜的方式则是磁控溅射。在改进后的靶结构中，其包括有第一单组份靶1、第二单组份靶2和靶仓3。这里的第一单组份靶1和第二单组分靶2各占据着一个靶位，对称地放置于所述的靶仓3中。第一单组份靶1和第二单组份靶2均连接有电源。这里的第一单组分靶1和第二单组份靶2分别为两种不同组分的靶材，可以用于两种组份中的任意一种组份的膜层，当然也可以镀混合组份的膜层，这是我们发明创造的重点所在。