[实用新型]一种电感器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及扼流圈、滤波器和电子变压器等电感器件，尤其涉及一种两线圈并联的电感器件。

背景技术

传统的线圈类电感器件一般是由EE型磁心或EI型磁心配合线圈架绕上漆包线组成。制作线圈的铜线线径，一般是根据所在承载电流的大小来选择的；一般铜线是紧密排列并分层来制作线圈的。这样使得线圈的邻近效应影响增大，并且电子扼流圈和电子变压器一般工作在高频状态下，穿透深度较小，趋肤效应的影响也较大，因此由于邻近效应和趋肤效应的影响，极易造成线圈铜线的浪费。

为了防止磁饱和现象发生，需要在磁路中设有磁路气隙，磁路气隙通常置于磁心的中柱，扩散磁通主要存在于磁路气隙附近，扩散磁通使气隙附近的线圈部分失去“电-磁”的转换作用，气隙附近的部分线圈只起填充作用。气隙量越大扩散磁通就越大，无效填充的线圈也就越多，同时漏磁通穿过线包，引起一定的功率损耗。上述原因造成器件自身铜电阻和铜损的增加，使器件的功耗升高，浪费电能和铜材，降低使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是：提供一种可节省铜材、提高品质因数（即Q值）、降低线圈邻近效应的电感器件。

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种电感器件，其特征在于，包括一个中柱磁体、两个E字形边柱磁体和两个线圈；所述边柱磁体设有一个直臂，在直臂的两端分别设有两个端折臂，在两个端折臂之间的直臂中间位置上设有一个中折臂，端折臂和中折臂位于直臂的同一侧；两线圈分别缠绕设置在边柱磁体的中折臂上，两线圈并联连接在一起；将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面，使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路。

本实用新型与 传统的“EE”型电感器相比具有以下优点：

1.节约铜材；

2.提高品质因数（即Q值）；

3. 降低邻近效应和趋肤效应对线圈的影响。

下面结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。

附图说明

图 1为实施例1电感器件示意图；

图 2为实施例1电感器件分解图；

图 3为实施例2的磁心示意图；

图 4为实施例3电感器件示意图；；

图 5为实施例4的磁心示意图。

具体实施方式

实施例1

参见图1和图2，一种电感器件，其特征在于，包括一个中柱磁体1、两个E字形边柱磁体2和两个线圈3；所述边柱磁体设有一个直臂2-1，在直臂的两端分别设有两个端折臂2-2，在两个端折臂之间的直臂中间位置上设有一个中折臂2-3，端折臂和中折臂位于直臂的同一侧；两线圈分别缠绕设置在边柱磁体的中折臂上，两线圈并联连接在一起；将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面，使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路。

在本实施例中，中柱磁体为I字形，边柱磁体的中折臂比端折臂稍短，边柱磁体与中柱磁体对接后，在中折臂的外向端面与中柱磁体的侧面之间形成磁路气隙，可有效地防止磁饱和现象的发生。边柱磁体和中柱磁体的外表面上设有绝缘层，两线圈通电后，在两边柱磁体中折臂中所形成的磁通方向相反。

由于本实用新型中有两组线圈，与传统的EE型电感器的单线圈相比，可用线径较小的铜线来制作线圈，并且每个线圈中电流将减小一半，这样可以降低趋肤效应与邻近效应的影响；再加上磁路气隙上不设线圈，减小了扩散磁通对线圈的影响，因此本实用新型可节省铜材，提高Q值。

实施例2

参见实施例1和图3，与实施例1不同之处在于，本实施例中的边柱磁体的中折臂与端折臂的长度相等，在I字形中柱磁体的两侧面上分别设有两个凹槽1-1，凹槽位于边柱磁体中折臂与中柱磁体对接处。该凹槽的深度即为本实施例磁路气隙的大小。

实施例3

参见实施例1和图4，与实施例1不同之处在于，中柱磁体上设有一个通槽1-2。

实施例4

参见实施例1、实施例3和图5，与实施例3不同之处在于，本实施例中的边柱磁体的中折臂与端折臂的长度相等，在I字形中柱磁体的侧面上设两个凹槽1-1，凹槽位于边柱磁体中折臂与中柱磁体对接处。

实施例5

参见实施例1，与实施例1不同之处在于，本实施例中设有经改进的骨架，中柱磁体与边柱磁体的外表面不设绝缘层，将中柱磁体与边柱磁体置与骨架上，将两线圈缠绕设置在边柱磁体中折臂相对应位置的骨架上,并将中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路。

这种有骨架设计的本实用新型，为在电路板上装配提供了方便。