[实用新型]一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器有效

专利信息
申请号: 201120240219.0 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN202111621U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 江金光;汪家轲 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春;肖明洲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 电流 模式 频率 补偿 装置 降压 dc 变换器
【权利要求书】:

1.一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器,包括频率补偿装置,其特征在于:所述的频率补偿装置包括误差放大器和补偿模块。

2.根据权利要求1所述的一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器,其特征在于,所述的误差放大器包括偏置模块、第一差分输入模块以及第二电流放大模块。

3.根据权利要求2所述的一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器,其特征在于,所述的偏置模块包括电流源Ibias,第一电流镜NMOS晶体管Mb1、第二电流镜NMOS晶体管Mb2、第三电流镜PMOS晶体管Mb3和第四电流镜PMOS晶体管Mb4;所述电流源Ibias的正极连接到电源电压,负极连接到所述第一电流镜NMOS晶体管Mb1的漏极;第一电流镜NMOS晶体管Mb1的漏极连接到电流源上,栅极连接到其漏极上,源极连接到地;第二电流镜NMOS晶体管Mb2的漏极连接到第三电流镜PMOS晶体管Mb3的漏极,栅极连接到第一电流镜NMOS晶体管Mb1的栅极上,源极连接到地;第三电流镜PMOS晶体管Mb3的漏极连接到第二电流镜NMOS晶体管Mb2的漏极,栅极连接到其漏极,源极连接到电源电压;第四电流镜PMOS晶体管Mb4栅极连接到Mb3的栅极,源极连接到电源电压;所述的第一差分输入模块包括第一输入PMOS管M1、第二输入PMOS管M2、第一负载NMOS管M3和第一负载NMOS管M4;上述第四电流镜PMOS晶体管Mb4的漏极连接到第一输入PMOS管M1和第二输入PMOS管M2的源极,第一输入PMOS管M1的漏极连接到第一负载NMOS管M3的漏极,栅极连接反馈电压,源极连接第一负载NMOS管Mb4的漏极;第二输入PMOS管M2的漏极连接到第一负载NMOS管M4的漏极,栅极连接到基准电压,源极连接到上述第四电流镜PMOS晶体管Mb4的漏极;第一负载NMOS管M3的漏极连接到第一输入PMOS管M1的漏极,栅极连接其漏极,源极连接到地;第二负载NMOS管M4的漏极连接到第二输入PMOS管M2的漏极,栅极连接其漏极,源极连接到地;所述的第二电流放大模块包括第一放大NMOS管M5、第二放大NMOS管M6、第一共源电流镜PMOS管M7、第二共源电流镜PMOS管M8、第一共栅电流镜PMOS管M9以及第二共栅电流镜PMOS管M10;所述第一放大NMOS管M5的漏极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的漏极,栅极连接到上述第一负载NMOS管M3的栅极,源极连接到地;第二放大NMOS管M6的漏极连接到第二共源电流镜PMOS管M8的漏极,栅极连接到上述第一负载NMOS管M4的栅极,源极连接到地;第一共源电流镜PMOS管M7的漏极连接到第一放大NMOS管M5的漏极,栅极连接到其漏极,源极连接到M9的漏极;第二共源电流镜PMOS管M8的漏极连接到第二放大NMOS管M6的漏极,栅极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的栅极,源极连接到第二共栅电流镜PMOS管M10的漏极;第一共栅电流镜PMOS管M9的漏极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的源极,栅极连接到其漏极,源极连接到电源电压;第二共栅电流镜PMOS管M10的漏极连接到第二共源电流镜PMOS管M8的源极,栅极连接到第一共栅电流镜PMOS管M9的栅极,源极连接到电源电压;上述误差放大器的输出即为第二共源电流镜PMOS管M8以及第二放大NMOS管M6的漏极相连的端口处。

4.根据权利要求3所述的一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器,其特征在于,所述的补偿模块包括电阻RZ、补偿电容CC、和第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN;所述电阻RZ连接到上述第二共源电流镜PMOS管M8的漏极和第一频率补偿NMOS管Mc1的漏极;补偿电容CC连接到第一频率补偿NMOS管Mc1的源极和地之间;所述第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN的漏极均与所述电阻RZ相连,所述第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN栅极连接到偏置电压Vbias。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120240219.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top