[实用新型]一种横卧往复式物理气相沉积法镀陶瓷离子镀膜机

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种横卧往复式物理气相沉积法镀陶瓷离子镀膜机，机型新颖不是传统的筒体真空室，而是列车隧道型真空室，它适合于大批量生产用物理气相沉积法镀陶瓷砖等工件，属于物理气相沉积法等离子体离子镀膜领域。 

背景技术：

目前，传统的镀陶瓷离子镀膜机是立式筒体真空室，带有自转工件架的公转转架构成，即使卧式的镀玻璃或陶瓷的镀膜机与本实用新型不同，本机型的特点是横卧列车隧道型真空室。镀膜机上工件运行架是往复式的。 

经过国内、外专利文献查询，下列诸专利属于和本专利相当接近的背景技术，但存在一定的问题，与本专利显著不同。 

▲01219841“一种新型的阴极电弧离子镀膜装置” 

设计人：王殿儒、张金平、程云立、王百湘 

该专利是只采用阴极电弧蒸发源镀膜，上料真空室，真空镀膜室，下料真空室之间有真空锁，可使被镀钢板连续通过这三个真空室，而不改变各室的真空度，适合制备彩色干涉氧化钛透明膜，显然与本实用新型采用三室同一真空度不一样，且本专利有磁控溅射源和电弧蒸发离化源，也不相同。 

▲03113917“一种陶瓷制品的多弧离子镀膜方法” 

发明人：林伟河 

本专利是传统的筒式机，只有多弧靶，而无溅射靶，所以与本申请的实用新型专利显著不同。 

▲200610157962“陶瓷真空镀膜工艺方法” 

发明人：黄俊瑞 

本发明采用的硬件只是具有磁控功能的真空多弧钛靶，而无溅射靶，用来镀日用陶瓷器件，与本申请的实用新型采用物理气相沉积法既用磁控溅射靶，又用电弧蒸发离化靶相间隔排列，时间上交替镀覆，显然硬件和工艺上均有显著不同。 

▲200820013189“磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机” 

发明人：戴今古、张世伟等。 

本专利为筒体真空室，工件转架为传统的旋转式，真空室壁安装溅射镍靶和电弧蒸发铬靶，显然本申请的实用新型横卧往复式机明显不同。 

▲200920104248“一种磁控溅射镀膜机” 

发明人：刘洪良、刘洪国等 

本专利是从入口室经过传输室，过渡室、溅射室到出口室，采用跑道式回转运送工件，其特点是片状玻璃工件过缝开口高度及防窜气屏蔽系统的高度为35mm，而本申请专利是横卧隧道往复式，且兼有磁控溅射靶和电弧蒸发离化靶，与之显著不同。 

▲201020218905“一种卧式真空镀膜机基片传送机构” 

发明人：黄国兴、孙桂红等 

本发明涉及在真空箱体中，为真空镀膜箱体之间传动基片用的机构，适合于太阳能利用中TCO镀膜生产线用，虽为卧式，实际为本申请实用新型横卧隧道式也大相径庭。 

发明内容：

传统的陶瓷表面进行离子镀膜的方法是在一个筒状真空镀膜室中进行，第一步陶瓷先要在真空中加热烘烤，第二步再进行离子镀膜，第三步再在保护气氛中冷却，然后出炉，过去一般都在一个真空室中按时间为序来进行，这样无论从空间上工件装炉量，或者时间上依时序进行，都较难达到快速批量镀膜生产。 

为了克服传统陶瓷镀膜的缺点，本实用新型将真空室分成三段，进料室在烘烤一批陶瓷工件时，同时使另一批烘烤后陶瓷在镀膜室镀膜，显然，出料室有镀完膜的的工件在冷却，如果时间程序设计合理，可达批量优质生产。 

传统上为了均匀镀覆在陶瓷工件表面，是将陶瓷件安放在具有公转的自转轴工件架上，由于旋转、常造成瓷砖双面镀，而采用本实用新型采用往复式可使瓷砖既单面镀，又均匀。 

本实用新型为横卧往复式物理气相沉积法镀陶瓷离子镀膜机，真空室分为三段，为横卧隧道型往复式，采用物理气相沉积法镀覆，单层金属或金属氮化物、金属碳氮化物于陶瓷表面。 

第一段为加热烘烤真空室，第二段为往复式离子镀膜室，镀膜室内室壁安装的多个电弧蒸发源和多个磁控溅射源，数量至少分别都在二个到二个以上，而且先后相邻间隔排列，第三段为保护气氛冷却真空室，三段真空室设置相同的真空度范围，即真空抽气系统可使所有真空室本底真空度达3×10^-1Pa到3×10^-3Pa，这个技术方案的最大优点就在于工艺要求的三个时间段，同时分置于三个真空室，再按时间程序逐步进入和移出三个真空室空间，这样连续行进或停留，可在单位时间内完成比一炉一炉的传统式镀膜适应大批量的镀膜技术。 

附图说明：

下面给附图做进一步说明。