[实用新型]一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及属半导体器件制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体器件工艺制程中，光刻匀胶工艺的一种杜绝匀胶时在硅片表面产生胶丝的装置。

背景技术

目前常规半导体器件制造工艺中光刻胶匀胶腔体装置为匀胶腔体底座、匀胶腔体内心、匀胶腔体盖三部分组成，匀胶腔体内心外侧面为接近直线型平面，匀胶腔体盖内侧面为内弯曲弧面，匀胶腔体内心外侧面与匀胶腔体盖内侧面间距处于上宽下窄的结构，这样的结构导致排风在匀胶腔体底部及中下部位的抽速快，但在匀胶腔体的中上部分排风抽速较低，匀胶腔体内心顶部中心与匀胶腔体盖中心间距大，会导致大部分排风从硅片上方和匀胶腔体盖下方的中间部分流过，而硅片与匀胶腔体内心的间隙处排风量很小，导致光刻胶匀胶过程中所产生的胶丝无法被排风抽走，从而粘附在硅片边缘，在目前常规匀胶腔体的基础上如想消除或减轻硅片边缘粘附的胶丝，只有加大排风总量，以便提高排风的抽速，但排风量过大又会导致光刻胶匀胶后成膜的光阻的均匀差，导致硅片边缘光阻厚，从而影响光刻工艺质量。因此急需一种改进的技术来解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种半导体器件制造工艺中高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置。

本实用新型采用的技术方案是：

一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置，包括匀胶腔体底座，所述匀胶腔体底座顶部设有匀胶腔体盖，所述匀胶腔体底座和匀胶腔体盖之间设有匀胶腔体心体，所述匀胶腔体心体侧面与匀胶腔体盖内侧内弧面平行，所述匀胶腔体心体的正上方设有匀胶遮挡环。 

所述匀胶腔体心体顶部中心与匀胶腔体盖中心间距为1.4-1.6cm，所述匀胶腔体心体侧面与匀胶腔体盖内侧内弧面其间距为3.0-3.5cm，所述匀胶遮挡环厚度为0.60-0.65cm、内直径为   6.5-7.0cm、外直径为10.5-11.0cm，所述匀胶遮挡环与匀胶时硅片的间距为0.15-0.25cm。

本实用新型的优点是：可以很大程度上减少排风的损失及加大排风在匀胶腔体中上部的抽速，也不会削弱排风在匀胶腔体底部及中下部的抽速，可以在不增加总排风量的基础上有效的将匀胶过程生产的大部分胶丝抽走；在排风的作用下使硅片与胶丝遮挡环之间能形成较大的从硅片中心至硅片边缘的风速流，光刻胶匀胶过程中生产的胶丝也就无法粘附在硅片边缘，提高了操作的简易性，也提高了光刻工艺质量。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图。

其中：1、匀胶腔体底座，2、匀胶腔体心体，3、匀胶腔体盖，4、匀胶遮挡环。

具体实施方式

实施例1

如图1所示，本实用新型的一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置，包括匀胶腔体底座1，所述匀胶腔体底座1顶部设有匀胶腔体盖3，所述匀胶腔体底座1和匀胶腔体盖3之间设有匀胶腔体心体2，所述匀胶腔体心体2顶部中心与匀胶腔体盖3中心间距为1.4cm，所述匀胶腔体心体2侧面与匀胶腔体盖3内侧内弧面平行，其间距为3.0cm，所述匀胶腔体心体2的正上方设有匀胶遮挡环4，所述匀胶遮挡环4厚度为0.60cm、内直径为   6.5cm、外直径为10.5cm，所述匀胶遮挡环4与匀胶时硅片的间距为0.15cm。

本实用新型为避免硅片在匀高粘度光刻胶时硅片边缘粘附胶丝，采用减小匀胶腔体心体2顶部中心与匀胶腔体盖3中心间距及匀胶腔体心体2外侧弧面与匀胶腔体盖3内侧内弧面间距，这样的结构可以很大程度上减少排风的损失及加大排风在匀胶腔体中上部的抽速，也不会削弱排风在匀胶腔体底座1及中下部的抽速，可以在不增加总排风量的基础上有效的将匀胶过程生产的大部分胶丝抽走，同时在匀胶腔体心体2顶部放置匀胶遮挡环4，使匀胶遮挡环4内圆与匀胶腔体心体2顶部外圆孔相扣，使匀胶遮挡环4与匀胶腔体心体2构成一个可易拆分的整体，匀胶遮挡环4与匀胶腔体心体2结合处处于封闭状态，调整光刻胶匀胶时硅片与匀胶遮挡环4的间距，在排风的作用下使硅片与匀胶遮挡环4之间能形成较大的从硅片中心至硅片边缘的风速流，光刻胶匀胶过程中生产的胶丝也就无法粘附在硅片边缘，同时也使得光刻胶在匀胶过程中所产生的未被排风抽走的胶丝粘附在匀胶遮挡环4上，每匀完20-30片硅片后取出匀胶遮挡环4，清理掉外粘附的胶丝，再继续使用，提高了操作的简易性。

实施例2