[实用新型]发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型有关一种可有效提高流明/瓦，且可维持高的发光效率的高亮度、高功率的发光二极管。

背景技术

近年来，已开发出以氮化物、磷化物为材料的高亮度发光二极管，其不仅可发出红、蓝、绿光，且可用以产生各色光与白光。如氮化镓基半导体(GaN-Based semiconductor)为一种适用于发出蓝光及紫外线光线的化合物半导体材料，近来所使用的发光二极管分为平面型与垂直型发光二极管，平面型发光二极管的p型与n型电极位于上部且面对相同方向，因此，此种发光二极管装置须具有相当大的尺寸，以获得足够的发光区域，而且由于p型电极靠近n型电极，故易于受到静电放电(electrostatic discharge，ESD)的影响，反观垂直型发光二极管p型与n型电极彼此相对地形成并将磊晶层夹设于其间，故可解决平面型发光二极管的缺点。

然而，现有的垂直型发光二极管，由于因半导体材料层的导电性较差，而使电流无法有效且均匀地从接点分散到整个发光层，发光二极管内部会发生部分区域电流密度过高的情况，因而影响整体亮度，甚至于导致发光层附近过早劣化，大幅地降低使用寿命，进而影响发光二极管的发光效率。

因此，目前已有一种垂直型发光二极管装置a，如图1、1A所示，利用蒸镀或电镀方法，在发光二极管的磊晶结构b表面上设置一或多个互相平行的矩形金属电极c，之后再加以封装而成，其虽可达到增进电流分散效能、提升发光均匀性、但对于发光效率有提升仍是有限。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在提供一种可有效提高流明/瓦，且可维持高的发光效率的高亮度、高功率的发光二极管。

为达上述的目的，本实用新型所设的发光二极管，包括一第一电极、一导电基底层、一反射层、一第一电性半导体层、一发光层、一第二电性半导体层及至少一第二电极，其中该导电基底层形成于该第一电极上，该反射层形成于该导电基底层上，该第一电性半导体层形成于该反射层上，该发光层形成于该第一电性半导体层上，该第二电性半导体层形成于该发光层上，该至少一第二电极形成于该第二电性半导体层上，又该第二电性半导体层下另设有至少一第三电极，且该第二电极与第三电极之间设有至少一连接通道，使该第二电极与第三电极得以电连接。

实施时，该第二电性半导体层上的第二电极数量与第二电性半导体层下的第三电极数量相同，每一个第三电极分别对应设置于每一个第二电极的下方，且该第二电极与第三电极之间皆设有连接通道。

实施时，该第二电性半导体层上的第二电极的总面积小于第二电性半导体层下的第三电极的总面积。

实施时，该第二电极的总面积小于第二电性半导体层面积。

实施时，该第二电性半导体层下的第三电极被一绝缘层所覆盖，以与该第一电性半导体层及反射层隔离。

实施时，该导电基底层的材料选自于由Cu、Al、Ni、Mo、W、Ti、Ag、Au、Co、Ta、W、Sn、In及其合金所构成的族群中至少一者。

实施时，该导电基底层的材料选自于由硅、Ge、GaP、SiC、GaN、AlN、GaAs、InP、AlGaAs、ZnSe所构成的族群中至少一者。

实施时，该发光层的材料选自于由AlInGaN、InGaN、GaN、AlGaInP、InGaP、GaAs、InGaAs、InP及AlGaAs所构成的族群中至少一者。

实施时，该反射层的材料选自于由Ag、Al、Au、Rh、Pt、Cu、Ni、W、In、Pd、Zn、AlSi、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Ti/Al、Ni/Al、Ni/Ag及其合金所构成的族群中至少一者。

实施时，该第二电极与第三电极的材料选自于由Cr/Au、Cr/Al、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Al、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au；Ti/Al/Ni/Au、Al/Pt/Au、Al/Ni/Au、Al/W/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Pt/Al/Ti/Au、Ti/Pt/Al/Cr/Au、Ti/Al/Ti/Pt/Au、ITO、、Ti/Al/Cr/Pt/Au及其合金所构成的族群中至少一者。

实施时，该第二电极与第三电极为相同的材料。

实施时，该第一电性半导体层为P型，第二电性半导体层为N型。

实施时，该导电基底层与反射层之间设有一黏合层，而该黏合层成分至少包含Au、AuIn、AuSn其中一种。