[实用新型]超高纯锗单晶炉

权利要求书

1.一种超高纯锗单晶炉，包括固定装置、加热装置、冷却装置、通气装置以及拉晶装置，其特征在于，

所述固定装置为位于圆筒形隔热保温罩(22)上下两端的上法兰(16)，下法兰及底座(17)，以及上密封装置(14)及下密封装置(15)，隔热保温罩(22)腔体内由外至内依次设有所述加热装置、石英管(1)、石英保温环(4)以及所述拉晶装置；

所述加热装置包括连接至中高频电源接口(13)的感应线圈(7)，以及固定于感应线圈(7)与石英管(1)之间的石墨加热器(9)；

所述冷却装置包括设于上法兰(16)的上法兰进水口(20)以及上法兰出水口(21)，下法兰及底座(17)内同时通有冷却水；

所述通气装置包括设于隔热保温罩(22)上部的进气口(18)以及出气口

(19)：

所述拉晶装置包括穿装于上密封装置(14)内的提拉部分以及固定于下法兰及底座(17)上的热熔部分，所述提拉部分上部为籽晶杆(11)，所述籽晶杆(11)上部穿装于上密封装置(14)内，其下部固定石英棒(5)，石英棒(5)前端固定籽晶夹具(6)，所述籽晶夹具(6)前端头是锗籽晶(24)；所述热熔部分固定于石英保温环(4)内，其通过坩埚杆(12)固定于下法兰及底座(17)上，坩埚杆(12)顶部固定石英坩埚(2)，所述石英坩埚(2)内盛装多晶锭(23)。

2.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶制备专用设备，其特征在于，所述籽晶杆(11)及坩埚杆(12)内均通有冷却水。

3.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶制备专用设备，其特征在于，所述感应线圈(7)下部固定感应线圈托架(8)。

4.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶制备专用设备，其特征在于，所述石墨加热器(9)下部固定石墨加热器托架(10)。

5.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶制备专用设备，其特征在于，所述坩埚杆(12)顶部固定石英坩埚托(3)，石英坩埚托(3)顶部固定石英坩埚(2)。