[实用新型]一种用于可控硅关断的检测电路

权利要求书

1.一种用于可控硅关断的检测电路，其特征在于：所述的用于可控硅关断的检测电路包括输入电路B1、比较器电路B2和输出电路B3；所述的可控硅T为双向可控硅元件，作为检测对象，可控硅T的门极与电阻器R2的一端相连接，电阻器R2的另一端接直流门极控制信号Vk，可控硅T的第二阳极与电阻器R1的一端相连接，电阻器R1的另一端接输入的交流电压信号Vi，可控硅T的第一阳极与地线相连接；其中：

输入电路B1为输入信号Vt的信号整形与输入保护电路，其输入端与可控硅T的第二阳极相连接，输出端与比较器电路B2的输入端相连接；

比较器电路B2为双向电压比较电路，具有一个输入端、一个输出端和两个参考电压输入端，其输入端与输入电路1B的输出端相连接，正向参考电压端与正向参考电压V1相连接，负向参考电压端与负向参考电压V2相连接，输出端与输出电路B3的输入端相连接；

输出电路B3为输出信号的隔离及电平转换电路，其输出端提供整个检测电路的输出信号Vo。

2.根据权利要求1所述的用于可控硅关断的检测电路，其特征在于：所述的输入电路B1由输入限幅器和滤波电路组成。

3.根据权利要求1所述的用于可控硅关断的检测电路，其特征在于：所述的比较器电路B2主要由两个电压比较器组成，其中：正向电压比较器的正输入端接正向参考电压V1，负输入端接输入信号Vb，输出端与比较器电路的输出端相连接；负向电压比较器的正输入端接输入信号Vb，负输入端接负向参考电压V2，输出端与比较器电路的输出端相连接。

4.根据权利要求1所述的用于可控硅关断的检测电路，其特征在于：所述的输出电路B3主要由光电耦合器电路组成。

5.根据权利要求1所述的用于可控硅关断的检测电路，其特征在于： 所述的电压比较器B2的正向参考电压V1及负向参考电压V2为双向比较器电路的翻转电压，V1和V2的取值根据可控硅T的导通压降Von的值来确定，正向参考电压V1的取值范围为：0＜V2≤Von；负向参考电压V2的取值范围为：-Von≤V2＜0；通常可控硅T的导通压降Von为2伏以下。

6.一种用于可控硅关断的检测电路，其特征在于：所述的用于可控硅关断的检测电路包括输入限幅与滤波电路、比较器电路和光电隔离输出电路；所述的可控硅T1为双向可控硅元件，作为检测对象，其门极通过电阻器R2接-4V门极控制电压，第二阳极通过电阻器R1接输入交流110V电压，第一阳极与地线相连接，可控硅T1的第二阳极为A点，即为检测电路的输入点；其中：

输入限幅与滤波电路由电阻器R3、二极管D1、D2和电容器C1组成；其中：电阻器R3的一端与A点相连接，另一端与B点相连接；二极管D1的阳极与B点相连接，阴极与地线相连接；二极管D2的阳极与地线相连接，阴极与B点相连接；电容器C1的一端与B点相连接，另一端与地线相连接；

比较器电路由第1比较器U1、第2比较器U2和电阻器R4、R5、R6、R7组成，其为双向电压比较电路，B点为输入端，E点为输出端；其中：第1比较器U1和电阻器R4、R5构成正向电压比较器，第1比较器U1的管脚2为输入电压端，与B点相连接；管脚3为参考电压端，与C点相连接；管脚4、8两端为电源输入端，分别与-6V和+6V电源相连接；管脚1为第1比较器U1的输出端，与E点相连接；电阻器R4、R5组成电阻分压电路，为第1比较器U1提供C点的参考电压，电阻器R4的一端与+6V电源相连接，另一端与C点相连接，电阻器R5的一端与C点相连接，另一端与地线相连接；第2比较器U2与电阻器R6、R7构成负向电压比较器，第2比较器U2的管脚5为输入电压端，与B点相连接；管脚6为参考电压端，与D点相连接；管脚7为第2比较器U2的输出端，与E点相连接；电阻器R6、R7组成电阻分压 电路，为第2比较器U2提供D点的参考电压，电阻器R6的一端与地线相连接，另一端与D点相连接，电阻器R7的一端与D点相连接，另一端与-6V电源相连接；

光电隔离输出电路由光电耦合器U3与电阻器R8、R9组成，其中：电阻器R8一端与E点相连接，另一端与光电耦合器U3的管脚2相连接；光电耦合器U3的管脚1与+6V电源相连接，管脚3与F点及电阻器R9相连接，电阻器R9的另一端与GND相连接，管脚4与+5V电源相连接；F点为整个电路的输出点，输出Vo信号。