[实用新型]具有台阶结构的双音盆薄型扬声器

说明书

技术领域

本实用新型属于电声技术领域，涉及一种扬声器，具体地说是一种具有台阶结构的双音盆薄型扬声器。

背景技术

现有技术中，应用于LCD、PDP等平板型视频设备上的扬声器一般采用漏斗形音盆配合定位支片的结构，在漏斗形音盆的边沿设置有折环，在音盆的中心开设有中心孔，同样开设有中心孔的定位支片设置在音盆的下方，音圈贯穿过音盆和定位支片的中心孔，音圈的外壁与音盆和定位支片的中心孔内壁紧密结合，从而形成扬声器的振动系统。为了进一步优化扬声器的厚度，现有的常规手段是采用底部密闭的盆架，直接省略掉了传统的导磁轭，将原有的磁路结构简化成开放式磁路结构。但是，这种去掉导磁轭的开放式磁路结构存在磁场分布不均匀，发热量大等缺陷，影响扬声器工作的可靠性。而且由于扬声器结构比较薄，振动幅度小，其存在谐振频率高，低音不好等缺点，声性能无法保证。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种结构巧妙、紧凑合理的具有台阶结构的双音盆薄型扬声器，该扬声器通过在主音盆、副音盆上设置台阶结构，在减小扬声器厚度的同时克服了扬声器音圈发热大，顺性差的缺点，既实现了结构薄型化，又保留了磁路结构中的U型导磁轭，提高了磁场分布的均匀度，提高了扬声器的BL值和特性灵敏度，降低了谐振频率，改善了低音响应特性，增强了扬声器的可靠性与音质。

按照本实用新型提供的技术方案：所述具有台阶结构的双音盆薄型扬声器，包括盆架、定位支架、U型导磁轭、磁体、磁极芯、音圈和主音盆，所述盆架具有一个内凹的盆形腔，U型导磁轭固定在盆架的盆形腔内；所述副音盆设置在U型导磁轭外围，副音盆的边沿支撑在定位支架上，定位支架紧密结合在盆架底部内表面上，副音盆中心开有副音盆中孔；所述主音盆位于副音盆上方，主音盆的边沿支撑在盆架边缘上，主音盆中心开有主音盆中孔；所述磁体、磁极芯和音圈设置在U型导磁轭内，音圈环绕在磁体和磁极芯外围，音圈内周壁与磁体和磁极芯外周壁之间留有间隙，音圈外周壁与U型导磁轭内周壁之间留有间隙；其特征在于：所述副音盆的中心设有副音盆台阶，副音盆台阶向上穿过主音盆中孔；所述主音盆中心设有主音盆台阶，主音盆台阶的内表面与副音盆台阶的外表面紧密结合；所述副音盆台阶的顶部内表面与U型导磁轭的顶部保持一定距离，所述副音盆台阶的内周壁与U型导磁轭筒体的外周壁保持一定距离。

作为本实用新型的进一步改进，所述副音盆台阶中心开有副台阶中心孔，所述主音盆台阶中心开有主台阶中心孔，所述音圈包括同轴的音圈线圈和音圈骨架，音圈骨架向上穿过副台阶中心孔和主台阶中心孔，副台阶中心孔和主台阶中心孔的内沿与音圈骨架的外周壁紧密结合，在音圈骨架的顶部配装有防尘帽。

作为本实用新型的进一步改进，所述音圈骨架的顶部不高于主音盆折环的顶部最高点，所述防尘帽上表面与主音盆折环的的顶部最高点持平。

作为本实用新型的进一步改进，所述副音盆边沿支撑在定位支架上，副音盆边沿的内缘向其中心方向延伸，首先凹陷形成一圈副音盆折环；所述副音盆折环的内缘继续向其中心方向水平延伸一定距离，形成副音盆本体，副音盆本体的中心是副音盆中孔；所述副音盆本体上表面向上凸起并延伸一定高度后再向中心方向延伸一段距离，形成所述的副音盆台阶。进一步地，所述副音盆折环的横断面为圆弧形。

作为本实用新型的进一步改进，所述主音盆边沿支撑在盆架边缘上，主音盆边沿的内缘向其中心方向延伸，首先凹陷形成一圈主音盆折环；所述主音盆折环的内缘继续向其中心方向斜向下延伸一定距离，形成主音盆本体，主音盆本体的中心是主音盆中孔；所述主音盆本体上表面向上凸起并延伸一定高度后再向中心方向延伸一段距离，形成所述的主音盆台阶。进一步地，所述主音盆折环的横断面为圆弧形。

作为本实用新型的进一步改进，所述副音盆台阶下表面到U型导磁轭顶部的距离，应不小于音圈底部下表面到U型导磁轭底部内表面的距离。

作为本实用新型的进一步改进，所述定位支架周壁上设置有散热口。

作为本实用新型的进一步改进，所述盆架底部中心开有盆架中孔，U型导磁轭的底部下表面中心设有外凸台，该外凸台以过盈配合方式紧密结合在所述盆架中孔内。

本实用新型与现有技术相比，优点在于：结构巧妙、紧凑合理，通过在主音盆上设置主音盆台阶，在副音盆上设置副音盆台阶，在减小扬声器厚度的同时克服了扬声器音圈发热大，顺性差的缺点，既实现了结构薄型化，又保留了磁路结构中的U型导磁轭，提高了磁场分布的均匀度，提高了扬声器的BL值和特性灵敏度，降低了谐振频率，改善了低音响应特性，增强了扬声器的可靠性与音质。

附图说明