[实用新型]一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件有效

专利信息
申请号: 201120198061.5 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN202150453U 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 郭小伟;刘建军;陈欣 申请(专利权)人: 西安天胜电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/488
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710018 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 扁平 载体 引线 引脚 交错 ic 芯片 封装
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种芯片封装结构,具体涉及一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件。

背景技术

DFN系列微小形封装集成电路是近几年发展起来的一种新型微小形封装。由于无引脚、贴装占有面积小,安装高度低等特点,为满足手机、MP3、MP4等超薄型电子产品发展的需要应用而生的逐渐成长起来的一种新型封装。该封装由于引线短小、塑封体尺寸小、封装体薄,可以使CPU体积缩小30%-50%。所以它能提供卓越的电性能,同时,它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能。普通的DFN封装主要存在以下不足:

因为普通的DFN封装,只用于一般产品,没有高可靠性要求,所以使用的引线框架没有专门的防分层缺陷设计要求,使用的封装材料也是一般材料。同时,在制造过程中没有采取防缺陷(分层)工艺措施,所以存在以下不足:

1、集成电路芯片和载体的结合力不好,当受外界环境变化的影响时,会造成产品内部产生分层缺陷,致使性能褪化,甚至失效;

2、载体背面和塑封料的结合力不好,当受外界环境的影响,会造成产品产生缺陷(分层);或外露载体(基岛)上有较厚的溢料,给后续去溢料带来困难,增加了产生分层缺陷的几率;

3、DFN外观第一脚位置不易区分,对封装制造过程和客户使用带来了不必要的麻烦。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的缺点,本实用新型的目的是提供一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件,采用DAF膜粘片,芯片与框架100%结合,生产的良品率极高;具有无载体无引线的特点,芯片直接放于框架之上,节省材料;切割一致性好;打线非常的方便、灵活,避免压焊时短路;引脚节距小,减小封装尺寸。

为了达到上述目的,本实用新型采取的技术方案为:

一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件,包括框架内引脚1,框架内引脚1通过第一DAF膜2和第一IC芯片3相连,第一IC芯片3通过第一键合线6和框架内引脚1上连接。

一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件,包括框架内引脚1,框架内引脚1通过第一DAF膜2和第一IC芯片3相连,第一IC芯片3通过第一键合线6和框架内引脚1上连接,第一IC芯片3通过第二DAF膜4和第二IC芯片5相连,第二IC芯片5通过第二键合线7和第一IC芯片3连接,第二IC芯片5通过第三键合线8和框架内引脚1连接。

本实用新型采用DAF膜粘片,芯片与框架100%结合,不会产生偏斜,生产的良品率极高;采用冲压型框架,生产效率高,成本低,开发周期需3个月;具有无载体无引线的特点,芯片直接放于框架之上,可以节省材料;切割一致性好,芯片引脚交叉排列密度高,芯片与引脚接触面积大;该实用新型封装中采用的框架其管脚是交错排列的,管脚密集度非常高,焊打线时直接用键合线从芯片打到管脚内引脚或外引脚上,打线非常的方便、灵活,同时可以避免压焊时造成键合线碰丝而引起的焊线短路;引脚节距0.3mm∽0.65mm,从而大大减小封装尺寸;塑封、切割模具可以共用,每个产品一个模具。

附图说明

图1为本实用新型单芯片封装件的剖面图。

图2为本实用新型单芯片封装件的俯视图。

图3为本实用新型多芯片堆叠式封装件的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型包括单芯片封装、多芯片堆叠式封装。

参照图1和图2,一种双扁平无载体无引线内引脚交错型IC芯片封装件,包括框架内引脚1,框架内引脚1通过第一DAF膜2和第一IC芯片3相连,第一IC芯片3通过第一键合线6和框架内引脚1上连接。第一键合线6直接从第一IC芯片3打到框架内引脚1上,框架内引脚1上是第一DAF膜2,第一DAF膜2上是第一IC芯片3,第一IC芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是第一键合线6,塑封体9包围了框架内引脚1、第一DAF膜2、第一IC芯片3、第一键合线6构成了电路的整体,塑封体9对第一IC芯片3和第一键合线6起到了支撑和保护作用,第一IC芯片3、第一键合线6、框架内引脚1构成了电路的电源和信号通道。

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