[实用新型]一种反应离子刻蚀设备有效
| 申请号： | 201120186261.9 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN202127001U | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 赵红艳;钱涛 | 申请（专利权）人： | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反应 离子 刻蚀 设备 | ||
1.一种反应离子刻蚀设备，包括一接地的真空室，所述真空室内的底部设有一自下而上的基片架；所述基片架即为电极，所述基片架和一电源之间连接导通，其特征在于：
所述基片架上均匀划分为至少两层的工作区域；
所述各工作区域的下部为水平架设在所述基片架上的阴极，所述各工作区域的上部为布气管路，所述布气管路上排布有布气孔，所述布气孔正对相应的阴极；
所述各布气管路分别固定连接在所述真空室内，所述布气管路是螺旋盘状的结构，由螺旋盘绕的圆管组成，所述圆管与一进气管连通；
所述进气管穿出所述真空室与一供气系统连接。
2.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述电源为射频电源或直流脉冲电源的任一种，所述电源的功率为200W～1000W。
3.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述布气孔均匀地排布在所述布气管路上，所述布气孔的直径为0.2mm～1.0mm，所述布气孔之间的中心距离为18mm～22mm。
4.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述圆管的内径小于或者等于350mm，相邻的螺旋盘绕的圆管之间的空隙距离为15mm～30mm，所述各工作区域上均匀刻蚀的基片尺寸为直径300mm或者12寸。
5.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述布气管路固定连接于一平板上，且所述平板的平整度为±0.5mm，所述平板固定连接于所述真空室内。
6.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述供气系统供给的气体包括Ar，O2，CF4或者Cl2。
7.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀设备，其特征在于：所述工作区域的层数为5层～8层，所述各工作区域中相应的阴极和布气管路之间的距离为60mm～80mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
