[实用新型]组合式大功率半导体芯片

权利要求书

1.一种组合式大功率半导体芯片，包括包装体、芯片、钼片和铜片，其特征在于：所述包装体为内、外异型环形圈，外异型环形圈(102)的上部内壁设有内凸的卡环，底部设有限位块；内异型环形圈(107)的外缘上设有与外异型环形圈内壁上的卡环匹配结合的凹槽，其上端设有内凸的限位块；外异型环形圈内自下而上依次设置下铜片(101)、下钼片(103)、芯片(104)和内异型环形圈，下铜片的下端设有与外异型环形圈底部的限位块匹配结合的凹槽，且下铜片的底端凸出于外异型环形圈的底端；内异型环形圈内自下而上设有上钼片(105)和上铜片(106)，上铜片的上端设有与内异型环形圈上端设置的限位块匹配结合的凹槽，且上铜片的顶端凸出于内异型环形圈的顶端。

2.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述外异型环形圈(102)的上部平面与内壁相交处设有倒角。

3.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述内异型环形圈(107)的外壁与下端平面相交处设有倒角。

4.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述芯片结终端为P型隔离墙台面挖槽或平面工艺结构。

5.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述下铜片(101)、上铜片(106)的外表面上均镀有银金属膜，上钼片(105)、下钼片(103)、芯片(104)的外表面上均镀有铝金属膜。

6.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述上钼片(105)的面积小于下钼片(103)的面积；上铜片(106)的面积小于下铜片(101)的面积。

7.根据权利要求1所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述上钼片(105)和上铜片(106)平面位置处垂直开设有与芯片(104)控制门极图案相对应的通孔。

8.一种组合式大功率半导体芯片，包括包装体、芯片、钼片和铜片，其特征在于：所述包装体为内、外异型环形圈，外异型环形圈(102)的上部内壁设有内凸的卡环，底部设有限位块；内异型环形圈(107)的外缘上设有与外异型环形圈内壁上的卡环匹配结合的凹槽，其上端设有内凸限位块；外 异型环形圈内自下而上依次设置下铜片(101)、定位环(108)和设置在定位环内的下钼片(103)、芯片(104)和内异型环形圈，下铜片的下端设有与外异型环形圈底部的限位块匹配结合的凹槽，且下铜片的底端凸出于外异型环形圈的底端；内异型环形圈内自下而上设有上钼片(105)和上铜片(106)，上铜片的上端设有与内异型环形圈上端设置的限位块匹配结合的凹槽，且上铜片的顶端凸出于内异型环形圈的顶端。

9.根据权利要求8所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述芯片(104)结终端为双负角台面芯片。

10.根据权利要求8所述的组合式大功率半导体芯片，其特征在于：所述下钼片(103)和上钼片(105)的面积同等。