[实用新型]一种清洗装置及抛光装置有效

申请号：	201120181309.7	申请日：	2011-05-31
公开（公告）号：	CN202142510U	公开（公告）日：	2012-02-08
发明（设计）人：	邓武锋;刘俊良	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/304	分类号：	H01L21/304;H01L21/00;B24B29/00;B08B3/02
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅;李时云
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种清洗装置抛光
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【说明书】：

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光设备领域，且特别涉及一种用于抛光头和抛光垫修整器的清洗装置及抛光装置。

背景技术

随着集成电路(IC)制造技术的飞速发展，对硅片的加工精度和表面质量提出了更高的要求，化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的实用技术和核心技术，正广泛地应用于IC制造中。

图1为目前CMP采用的抛光装置，抛光垫11随基台10旋转，抛光头12承载晶片15并下压晶片15至抛光垫11上与抛光垫11相对旋转，浆料注入机13将抛光浆料喷洒或涂抹在抛光垫11上，抛光垫修整器14用于对抛光垫11表面进行修整，增强抛光垫11的抛光性能。CMP制程中，晶片15和抛光垫11在抛光浆料作用下相对彼此执行摩擦运动，从而将晶片15的表面变平。

经过一段时间的晶片抛光或抛光垫修整工艺后，由于离心力作用，来自抛光浆料以及晶片15被抛光去除的薄膜等的残留物16，也会飞溅并附着在抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上表面以及侧表面。然而，现有技术中的清洗装置一般注重于清洗抛光头12或抛光垫修整器14的修整头底部表面，以用于下一批晶片的抛光；而附着在抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上表面以及侧表面的残留物16则被忽视，随着时间的推移，这些残留物16的粘附力会降低，可能会从抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上剥离，落到抛光垫11上，这样将会造成晶片15的抛光表面出现刮痕、通槽或凹坑等缺陷，或者下一批抛光晶片的污染，对器件的成品率造成极大地负作用。

因此需要一种清洗装置及抛光装置，能在抛光制程或抛光垫修整制程后清洗抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能。

实用新型内容

本实用新型提出一种清洗装置及抛光装置，能在抛光制程或修整制程后清理抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种清洗装置，用于抛光头或抛光垫修整器的修整头上表面及侧表面的清洗，包括：

清洗剂供给设备，设有出水管；

清洗罩，环绕所述抛光头或修整头，所述清洗罩的侧壁内部设有多路与所述出水管相连通的喷水管，所述喷水管靠近所述抛光头或修整头的一侧设有多个喷嘴，所述清洗罩的外部设有能够调节所述清洗罩高度的升降结构。

进一步的，所述清洗罩的侧部内部设有2～10路与所述出水管相连通的环状的喷水管。

进一步的，所述喷水管的喷嘴的数量为20～30个。

进一步的，所述清洗罩的侧壁内侧与所述抛光头或修整头的距离为1cm～5cm。

进一步的，所述清洗罩为环柱结构，所述清洗罩的侧壁内部沿环绕所述抛光头或修整头的方向设有多路与所述出水管相连通的环状的喷水管。

进一步的，所述升降结构包含高度调节组件。

进一步的，所述高度调节组件包含铰链、弹簧、滑杆、套管和伸缩杆中的一种或多种。