[实用新型]一种三极管驱动电路有效

专利信息
申请号: 201120178304.9 申请日: 2011-05-30
公开(公告)号: CN202183756U 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 白云 申请(专利权)人: 深圳市格莱德科技有限公司
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04
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地址: 518000 广东省深圳市宝安区松岗街道燕*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 三极管 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子电路领域,特别涉及一种三极管驱动电路。

背景技术

三极管驱动电路是用于驱动三极管开关动作的电路,应用于包含需要快速开关动作的三极管的各种电子电路中,例如开关电源设备。

现有一种三极管驱动电路,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1和三极管Q1,其中电阻R1一端连接信号源,另一端通过电阻R2与三极管Q1的基极相连接,电容C1与电阻R2并联,三极管Q1的集电极连接负载,发射极接地,电阻R3两端分别与三极管Q1的基极和发射极连接,该三极管驱动电路可以根据来自信号源的信号驱动三极管Q1。当信号源输入高电平时,该三极管驱动电路给三极管Q1提供由基极指向发射极的驱动电流而使三极管Q1快速开通;当信号源输入低电平时,该三极管驱动电路给三极管Q1提供由发射极指向基极的驱动电流而使三极管Q1快速关断。

由上可知该三极管Q1一般工作在快速开关的状态,存在两个缺陷:一个缺陷是工作中三极管可能会被损坏,原因是该三极管驱动电路驱动三极管Q1快速开通和关断,其中的电容C1是为快速驱动三极管Q1而设,电容C1在工作中被快速充电和放电。在电容C1的放电过程中,在三极管Q1上产生发射极指向基极的电压Veb,此电压可能会超出三极管Q1所能承受的最大电压(一般三极管所能承受的最大Veb电压约6V),这种情形下可能损坏三极管Q1。

另一个缺陷是三极管Q1开通速度较慢,原因是在一个工作周期(三极管Q1开通和关断一次称为一个工作周期)中,该三极管驱动电路中电容C1的放电可能来不及放完,导致下个周期中不能提供给三极管Q1快速开通所需的驱动电流,三极管Q1快速开通所需的驱动电流大部分来自于电容C1的充电电流,若前周期电容C1的放电未来得及放完,则会使电容c1的充电电流减小,充电电荷也减少,三极管Q1开通时间较长,开通就慢一些。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种三极管驱动电路,能够实现对三极管的驱动,并且可以保护三极管,提高电路可靠性,还可以加快三极管开通速度,改善电路性能。

本实用新型提供一种三极管驱动电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第一三极管,其中第一电阻一端连接信号源,另一端通过第二电阻与第一三极管的基极相连接,第一电容与第二电阻并联,第一三极管的集电极连接负载,发射极接地,第三电阻两端分别与第一三极管的基极和发射极连接,三极管驱动电路根据来自信号源的信号驱动第一三极管,所述三极管驱动电路还包括至少一单向导通器件,单向导通器件与第一三极管的基极和发射极并联。

该单向导通器件是二极管,二极管阳极与第一三极管的发射极相连接,阴极与第一三极管的基极相连接。该单向导通器件可以是第二三极管,该第二三极管可以是NPN三极管,NPN三极管的基极和集电极与第一三极管的发射极连接,NPN三极管的发射极与第一三极管的基极连接。第二三极管还可以是PNP三极管,PNP三极管的基极和集电极与第一三极管的基极连接,PNP三极管的发射极与第一三极管的发射极连接。单向导通器件还可以是具有单向导通的电路结构或集成电路。

采用本实用新型提供的三极管驱动电路,可广泛应用于包含需要快速开关动作的三极管的各种电子电路中,不仅能够实现对三极管的驱动,并且可以保护三极管,提高电路可靠性,还可以加快三极管开通速度,改善电路性能,并且无需对现有的三极管驱动电路作大的修改,无需投入大量成本。

附图说明

图1是现有技术电路原理图;

图2是本实用新型第一实施例电路原理图;

图3是本实用新型第二实施例电路原理图;

图4是本实用新型第三实施例电路原理图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

参照图1,示出现有技术电路原理图。

现有的三极管驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1和三极管Q1,其中电阻R1一端连接信号源,另一端通过电阻R2与三极管Q1的基极相连接,电容C1与电阻R2并联,三极管Q1的集电极连接负载,发射极接地,电阻R3两端分别与三极管Q1的基极和发射极连接,该三极管驱动电路可以根据来自信号源的信号驱动三极管Q1。

在现有技术基础上,提出第一实施例,电路原理图如图2所示。

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