[实用新型]一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路无效

专利信息
申请号: 201120178250.6 申请日: 2011-05-30
公开(公告)号: CN202103414U 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 钱钦松;刘斯扬;崔其晖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/08
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 汤志武
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测 绝缘 栅双极型 器件 短路 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路,其特征是包括电流变化探测电路(1)、电流探测电路(2)和软关断保护电路(3),被保护绝缘栅双极型器件(5)的输出端依次连接电流变化探测电路(1)、电流探测电路(2)和软关断保护电路(3),软关断保护电路(3)的输出端连接所述被保护绝缘栅双极型器件(5)的输入端。

2.根据权利要求1所述的一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路,其特征是所述的电流变化探测电路(1)由一个电感L、电压维持电路和两个齐纳二极管Z3、Z4构成,电感L接在被保护绝缘栅双极型器件(5)源极与GND之间,电压维持电路与电感L并联,齐纳二极管Z3、Z4串联后也与电感L并联;电流探测电路(2)包括电流感测绝缘栅双极型器件以及分压电阻R1和R2,电流感测绝缘栅双极型器件的栅极接电流变化探测电路(1)输出,电流探测电路(2)的输出信号从电流感测绝缘栅双极型器件的源极以及分压电阻R1、R2之间引出;软关断保护电路(3)由一MOS管M1构成,MOS管M1栅极为软关断保护电路(3)的输入端,漏极接被保护绝缘栅双极型器件(5)栅控信号,源极接GND。

3.根据权利要求1或2所述的一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路,其特征是还设有降栅压保护电路(4),所述降栅压电路(4)连接在电流探测电路(2)的输出端与被保护绝缘栅双极型器件(5)的输入端之间,所述降栅压电路(4)由一MOS管M2与齐纳二极管Z1组成,M2栅极接输入信号,漏极接Z1阳极,源极接GND,Z1阴极接驱动信号。

4.根据权利要求1或2所述的一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路,其特征是电流探测电路(2)电流感测绝缘栅双极型器件在电路正常工作时关闭,电流感测绝缘栅双极型器件与被保护绝缘栅双极型器件(5)面积比为1∶N,N的值为30至50。

5.根据权利要求3所述的一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路,其特征是电流探测电路(2)的电流感测绝缘栅双极型器件在电路正常工作时关闭,电流感测绝缘栅双极型器件与被保护绝缘栅双极型器件(5)面积比为1∶N,N的值为30至50。

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