[实用新型]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置有效
| 申请号： | 201120176127.0 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN202090056U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 | 申请（专利权）人： | 上海森松化工成套装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/24 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 马育麟 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 cvd 混合 进出 调节 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：包括进气量调节装置、或者出气量调节装置。
2.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气量调节装置包括进气口与进气量调节阀。
3.根据权利要求2所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气口分为若干个进气孔。
4.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述出气量调节装置包括中心口出气调节装置与非中心口出气调节装置。
5.根据权利要求4所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述中心口出气调节装置包括中心口出气量调节阀与中心出气口，所述非中心口出气调节装置包括非中心口出气量调节阀与非中心出气口。
6.根据权利要求5所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述中心出气口与非中心出气口上设有若干个出气孔。
7.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气进气装置连接，所述出气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气出气装置连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海森松化工成套装备有限公司，未经上海森松化工成套装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120176127.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：简易挂件
- 下一篇：不锈钢管和管件固溶处理冷却辅助装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
