[实用新型]光电转换装置有效

专利信息
申请号: 201120175836.7 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN202196801U 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 章灵军;吴坚;张凤;王栩生 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/06 分类号: H01L31/06;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 装置
【权利要求书】:

1.一种光电转换装置,具有受光面和背光面,其特征在于,包括:

半导体基板(1);

贯穿所述半导体基板(1)的孔洞(3),所述孔洞(3)的内壁导电类型与所述半导体基板(1)相同;

仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上且与半导体基板(1)导电类型相反的半导体(2);

位于所述孔洞(3)内并与孔洞(3)的内壁直接接触的电极(9)。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,包括:当所述半导体基板(1)的导电类型为P型时,仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上的所述半导体(2)的导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,包括:当所述半导体基板(1)的导电类型为N型时,仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上的所述半导体(2)的导电类型为P型。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:

设置于所述半导体(2)表面的介质膜(4)。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:

在所述半导体基板(1)的背光面上设置有与其导电类型相同的掺杂物质层或介质膜;

或者,在所述半导体基板(1)的背面上设置有与其导电类型相同的掺杂物质层和介质膜。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的装置,其特征在于,还包括:

设置于所述半导体(2)上收集并传导所述受光面产生的电流的电极(5)。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:

位于所述受光面上并设于所述孔洞(3)上方的电极(10);

所述电极(10)与所述电极(5)电性相连,传导所述电极(5)上汇集的电流。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括: 

设置于所述半导体基板(1)的背光面处的所述孔洞(3)上的电极(8),所述孔洞(3)内的电极(9)两端分别与所述电极(10)和电极(8)电学连通。

9.根据权利要求8中所述的装置,其特征在于,包括:

所述电极(8)、电极(9)和电极(10)的构成包括:全空心、部分空心或全实心填充中的任一结构。

10.根据权利要求9中所述的装置,其特征在于,所述受光面上的电极(10)与所述背光面上的电极(8)均为全实心填充结构,而孔洞(3)内的电极(9)为全空心结构。

11.根据权利要求7或9或10中所述的装置,其特征在于,所述受光面上的电极(10)与背光面上的电极(8),孔洞(3)内的电极(9)以及电极(5)的材料或制作方式同样可以采用全部相同的、部分相同的或者全部不同的方式进行。

12.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,还包括:

设置于所述背光面上的电极(7);

所述电极(7)与所述电极(8)仅靠空气绝缘隔离且电极极性相反,所述电极(7)收集传导与所述受光面上电流电性相反的电流。 

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