[实用新型]光电转换装置有效
| 申请号: | 201120175836.7 | 申请日: | 2011-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN202196801U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
| 发明(设计)人: | 章灵军;吴坚;张凤;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
| 地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
1.一种光电转换装置,具有受光面和背光面,其特征在于,包括:
半导体基板(1);
贯穿所述半导体基板(1)的孔洞(3),所述孔洞(3)的内壁导电类型与所述半导体基板(1)相同;
仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上且与半导体基板(1)导电类型相反的半导体(2);
位于所述孔洞(3)内并与孔洞(3)的内壁直接接触的电极(9)。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,包括:当所述半导体基板(1)的导电类型为P型时,仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上的所述半导体(2)的导电类型为N型。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,包括:当所述半导体基板(1)的导电类型为N型时,仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上的所述半导体(2)的导电类型为P型。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
设置于所述半导体(2)表面的介质膜(4)。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
在所述半导体基板(1)的背光面上设置有与其导电类型相同的掺杂物质层或介质膜;
或者,在所述半导体基板(1)的背面上设置有与其导电类型相同的掺杂物质层和介质膜。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的装置,其特征在于,还包括:
设置于所述半导体(2)上收集并传导所述受光面产生的电流的电极(5)。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:
位于所述受光面上并设于所述孔洞(3)上方的电极(10);
所述电极(10)与所述电极(5)电性相连,传导所述电极(5)上汇集的电流。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
设置于所述半导体基板(1)的背光面处的所述孔洞(3)上的电极(8),所述孔洞(3)内的电极(9)两端分别与所述电极(10)和电极(8)电学连通。
9.根据权利要求8中所述的装置,其特征在于,包括:
所述电极(8)、电极(9)和电极(10)的构成包括:全空心、部分空心或全实心填充中的任一结构。
10.根据权利要求9中所述的装置,其特征在于,所述受光面上的电极(10)与所述背光面上的电极(8)均为全实心填充结构,而孔洞(3)内的电极(9)为全空心结构。
11.根据权利要求7或9或10中所述的装置,其特征在于,所述受光面上的电极(10)与背光面上的电极(8),孔洞(3)内的电极(9)以及电极(5)的材料或制作方式同样可以采用全部相同的、部分相同的或者全部不同的方式进行。
12.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,还包括:
设置于所述背光面上的电极(7);
所述电极(7)与所述电极(8)仅靠空气绝缘隔离且电极极性相反,所述电极(7)收集传导与所述受光面上电流电性相反的电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





