[实用新型]一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置有效

专利信息
申请号: 201120172844.6 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN202121505U 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 江金光;汪家轲 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春;肖明洲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电流 模式 dc 变换器 频率 补偿 装置
【权利要求书】:

1.一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,包括依次连接的误差放大器和频率补偿电路。

2.根据权利要求1所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述的误差放大器包括:

一差分输入电路:包括第一差分输入PMOS管M1、第二差分输入PMOS管M2以及电流镜PMOS管M11;

一共栅放大电路:包括第一共栅NMOS放大管M3、第二共栅NMOS放大管M4、第三共栅NMOS放大管M5以及第四共栅NMOS放大管M6;

一共源共栅电流镜负载:包括第一电流镜PMOS负载管M7、第二电流镜PMOS负载管M8、第三电流镜PMOS负载管M9以及第四电流镜PMOS负载管M10。

3.根据权利要求2所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述第一差分输入PMOS管M1的漏极连接到第三共栅NMOS放大管M5的漏极,栅极连接到反馈电压,源极连接到电流镜PMOS管M11的漏极;第二差分输入PMOS管M2的漏极连接到第四共栅NMOS放大管M6的漏极,栅极连接到基准电压,源极连接到电流镜PMOS管M11的漏极;第一共栅NMOS放大管M3的漏极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到第三共栅NMOS放大管M5的漏极;第二共栅NMOS放大管M4的漏极连接到第四电流镜PMOS负载管M10的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到第四共栅NMOS放大管M6的漏极;第 三共栅NMOS放大管M5的漏极连接到第一差分输入PMOS管M1的漏极,栅极连接到偏置电压Vb1,源极连接到地;第四共栅NMOS放大管M6的漏极连接到第二差分输入PMOS管M2的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到地;第一电流镜PMOS负载管M7的漏极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的源极,栅极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,源极连接到电源电压;第二电流镜PMOS负载管M8的漏极连接到第四电流镜PMOS负载管M10的源极,栅极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,源极连接到电源电压;第三电流镜PMOS负载管M9的漏极连接到第一共栅NMOS放大管M3的漏极,栅极连接到偏置电压Vb4,源极连接到第一电流镜PMOS负载管M7的漏极;第四电流镜PMOS负载管M10的漏极连接到第二共栅NMOS放大管M4的漏极,栅极连接到偏置电压Vb4,源极连接到第二电流镜PMOS负载管M8的漏极;电流镜PMOS管M11的漏极连接到第一差分输入PMOS管M1的源极,栅极连接到偏置电压Vb1,源极连接到电源电压。

4.根据权利要求1所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述的补偿电路包括:

一密勒电容控制单元:包括补偿电容CC以及N个频率补偿NMOS管即第一频率补偿NMOS管Mc1…第N频率补偿NMOS管McN;

一动态零点控制单元:包括线性区的NMOS管Mm以及零点控制电压电路。

5.根据权利要求4所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述第一频率补偿NMOS管Mc1…第N频率补偿NMOS管McN的漏极均连接到上述误差放大器的输出端,栅极连接到偏置电压Vb, 源极连接到上述补偿电容CC,NMOS管Mm的漏极连接到所述补偿电容Cc,栅极连接到零点控制电压电路的输出,源极连接地。

6.根据权利要求4所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述零点控制电压电路包括:

一第一电压-电流的转换器:包括运放A1、电阻R1、第一NMOS管Mm1以及第四NMOS管Mm4;

一第二电压-电流的转换器:包括运放A2、电阻R3、第五NMOS管Mm5以及第八NMOS管Mm8;

一第一电流镜:包括第二NMOS管Mm2、第三NMOS管Mm3以及运放A3;

一第二电流镜:包括第六NMOS管Mm6、第七NMOS管Mm7以及运放A4;

一采样电阻R2;

一控制电压VC产生电路:包括电阻R4、电阻Rs以及第九NMOS管Mm9。

7.根据权利要求6所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述运放A1的正负输入分别连接第M NMOS管Mm的漏极和第一NMOS管Mm1的源极;第一NMOS管Mm1的漏极连接到第二NMOS管Mm2漏极,栅极连接到运放A1的输出,源极连接到电阻R1;第四NMOS管Mm4的漏极连接到第三NMOS管Mm3漏极,栅极连接到运放A1的输出,源极连接到采样电阻R2;电阻R1的两端分别连接到第一NMOS管Mm1的源极和地;所述运放A2的正负输入分别连接第九NMOS管Mm9的栅极和第五NMOS管Mm5的源极;第五NMOS管Mm5的漏极连接到第六NMOS管Mm6漏极,栅极连接到运放A2的输出,源极连接到电阻R3;第八NMOS管Mm8的漏极连接到第七NMOS管Mm7漏极,栅极连接到运放A2的输出,源极连接到电阻R2;电 阻R3的两端分别连接到第五NMOS管Mm5的源极和地,所述第二NMOS管Mm2的漏极连接到第一NMOS管Mm1的漏极,栅极连接到运放A3的输出,源极接到电源电压上;第三NMOS管Mm3的漏极连接到第四NMOS管Mm4的漏极,栅极连接到运放A3的输出,源极接到电源电压上;运放A3的正负输入分别连接第二NMOS管Mm2的漏极和第三NMOS管Mm3的漏极;所述第六NMOS管Mm6的漏极连接到第五NMOS管Mm5的漏极,栅极连接到运放A4的输出,源极接到电源电压上;第七NMOS管Mm7的漏极连接到第八NMOS管Mm8的漏极,栅极连接到运放A4的输出,源极接到电源电压上;运放A4的正负输入分别连接第六NMOS管Mm6的漏极和第七NMOS管Mm7的漏极,所述电阻R4连接到电源电压和第九NMOS管Mm9的漏极之间;电阻Rs连接到第九NMOS管Mm9的源极和地之间;第九NMOS管Mm9漏极连接到电阻R4,栅极连接到运放A2的同相输入端,源极连接到电阻Rs。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120172844.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top