[实用新型]一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置有效
申请号: | 201120172844.6 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN202121505U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 江金光;汪家轲 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春;肖明洲 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 模式 dc 变换器 频率 补偿 装置 | ||
1.一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,包括依次连接的误差放大器和频率补偿电路。
2.根据权利要求1所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述的误差放大器包括:
一差分输入电路:包括第一差分输入PMOS管M1、第二差分输入PMOS管M2以及电流镜PMOS管M11;
一共栅放大电路:包括第一共栅NMOS放大管M3、第二共栅NMOS放大管M4、第三共栅NMOS放大管M5以及第四共栅NMOS放大管M6;
一共源共栅电流镜负载:包括第一电流镜PMOS负载管M7、第二电流镜PMOS负载管M8、第三电流镜PMOS负载管M9以及第四电流镜PMOS负载管M10。
3.根据权利要求2所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述第一差分输入PMOS管M1的漏极连接到第三共栅NMOS放大管M5的漏极,栅极连接到反馈电压,源极连接到电流镜PMOS管M11的漏极;第二差分输入PMOS管M2的漏极连接到第四共栅NMOS放大管M6的漏极,栅极连接到基准电压,源极连接到电流镜PMOS管M11的漏极;第一共栅NMOS放大管M3的漏极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到第三共栅NMOS放大管M5的漏极;第二共栅NMOS放大管M4的漏极连接到第四电流镜PMOS负载管M10的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到第四共栅NMOS放大管M6的漏极;第 三共栅NMOS放大管M5的漏极连接到第一差分输入PMOS管M1的漏极,栅极连接到偏置电压Vb1,源极连接到地;第四共栅NMOS放大管M6的漏极连接到第二差分输入PMOS管M2的漏极,栅极连接到偏置电压Vb2,源极连接到地;第一电流镜PMOS负载管M7的漏极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的源极,栅极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,源极连接到电源电压;第二电流镜PMOS负载管M8的漏极连接到第四电流镜PMOS负载管M10的源极,栅极连接到第三电流镜PMOS负载管M9的漏极,源极连接到电源电压;第三电流镜PMOS负载管M9的漏极连接到第一共栅NMOS放大管M3的漏极,栅极连接到偏置电压Vb4,源极连接到第一电流镜PMOS负载管M7的漏极;第四电流镜PMOS负载管M10的漏极连接到第二共栅NMOS放大管M4的漏极,栅极连接到偏置电压Vb4,源极连接到第二电流镜PMOS负载管M8的漏极;电流镜PMOS管M11的漏极连接到第一差分输入PMOS管M1的源极,栅极连接到偏置电压Vb1,源极连接到电源电压。
4.根据权利要求1所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述的补偿电路包括:
一密勒电容控制单元:包括补偿电容CC以及N个频率补偿NMOS管即第一频率补偿NMOS管Mc1…第N频率补偿NMOS管McN;
一动态零点控制单元:包括线性区的NMOS管Mm以及零点控制电压电路。
5.根据权利要求4所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述第一频率补偿NMOS管Mc1…第N频率补偿NMOS管McN的漏极均连接到上述误差放大器的输出端,栅极连接到偏置电压Vb, 源极连接到上述补偿电容CC,NMOS管Mm的漏极连接到所述补偿电容Cc,栅极连接到零点控制电压电路的输出,源极连接地。
6.根据权利要求4所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述零点控制电压电路包括:
一第一电压-电流的转换器:包括运放A1、电阻R1、第一NMOS管Mm1以及第四NMOS管Mm4;
一第二电压-电流的转换器:包括运放A2、电阻R3、第五NMOS管Mm5以及第八NMOS管Mm8;
一第一电流镜:包括第二NMOS管Mm2、第三NMOS管Mm3以及运放A3;
一第二电流镜:包括第六NMOS管Mm6、第七NMOS管Mm7以及运放A4;
一采样电阻R2;
一控制电压VC产生电路:包括电阻R4、电阻Rs以及第九NMOS管Mm9。
7.根据权利要求6所述的一种电流模式的DC-DC变换器的频率补偿装置,其特征在于,所述运放A1的正负输入分别连接第M NMOS管Mm的漏极和第一NMOS管Mm1的源极;第一NMOS管Mm1的漏极连接到第二NMOS管Mm2漏极,栅极连接到运放A1的输出,源极连接到电阻R1;第四NMOS管Mm4的漏极连接到第三NMOS管Mm3漏极,栅极连接到运放A1的输出,源极连接到采样电阻R2;电阻R1的两端分别连接到第一NMOS管Mm1的源极和地;所述运放A2的正负输入分别连接第九NMOS管Mm9的栅极和第五NMOS管Mm5的源极;第五NMOS管Mm5的漏极连接到第六NMOS管Mm6漏极,栅极连接到运放A2的输出,源极连接到电阻R3;第八NMOS管Mm8的漏极连接到第七NMOS管Mm7漏极,栅极连接到运放A2的输出,源极连接到电阻R2;电 阻R3的两端分别连接到第五NMOS管Mm5的源极和地,所述第二NMOS管Mm2的漏极连接到第一NMOS管Mm1的漏极,栅极连接到运放A3的输出,源极接到电源电压上;第三NMOS管Mm3的漏极连接到第四NMOS管Mm4的漏极,栅极连接到运放A3的输出,源极接到电源电压上;运放A3的正负输入分别连接第二NMOS管Mm2的漏极和第三NMOS管Mm3的漏极;所述第六NMOS管Mm6的漏极连接到第五NMOS管Mm5的漏极,栅极连接到运放A4的输出,源极接到电源电压上;第七NMOS管Mm7的漏极连接到第八NMOS管Mm8的漏极,栅极连接到运放A4的输出,源极接到电源电压上;运放A4的正负输入分别连接第六NMOS管Mm6的漏极和第七NMOS管Mm7的漏极,所述电阻R4连接到电源电压和第九NMOS管Mm9的漏极之间;电阻Rs连接到第九NMOS管Mm9的源极和地之间;第九NMOS管Mm9漏极连接到电阻R4,栅极连接到运放A2的同相输入端,源极连接到电阻Rs。
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