[实用新型]一种经颅磁刺激装置

权利要求书

1.一种经颅磁刺激装置，其特征在于由下述结构构成：单片机控制器，用于接收按键的输入信号向光耦输出控制信号；光耦，接收单片机控制器的控制信号向推挽电路输出控制信号；推挽电路，用于接收光耦发送的驱动信号并向MOS管发送控制信号；MOS管，接收推挽电路的控制信号向电磁发生器输出电流；电磁发生器，接收MOS管的输出电流产生磁场；按键，用于向单片机控制器输入信号。

2.根据权利要求1所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的MOS管与储能电容连接，储能电容与20V直流电源连接。

3.根据权利要求1所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的电磁发生器由U型铁芯，设在U型铁芯上的线圈骨架和缠绕在线圈骨架上的线圈构成。

4.根据权利要求3所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的线圈的两端并联有反向续流二级管。

5.根据权利要求3所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的U型铁芯上设有两个线圈骨架，两个线圈骨架上的线圈串联，每个线圈为120匝。

6.根据权利要求1所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的推挽电路为一个NPN三极管和一个PNP三极管构成，两个三极管的基极与光耦的输出端连接；NPN三极管的集电极接12V直流电源，PNP三极管的集电极接地。

7.根据权利要求6所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的推挽电路的输出端与MOS管的栅极连接。

8.根据权利要求1所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的光耦由12V直流电源供电，单片机控制器由5V直流电源供电。

9.    根据权利要求2所述的一种经颅磁刺激装置，其特征在于所述的储能电容与MOS管的漏极连接，储能电容为50V/10000μF电解电容。