[实用新型]一种沉积二氧化硅薄膜的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置。

背景技术

在集成电路的制造工艺中，由于注入源、漏杂质时的横向扩散会产生短沟道效应，使MOS管的开启电压产生变化，而且会使高能量的离子注入会令多晶侧壁损伤，因此，在进行集成电路制造时，经常使用浅结(LDD)注入和侧墙隔离(SPACER)层保护来减少短沟道效应的影响和对多晶侧壁的损伤。

在工艺制作时，制作侧墙隔离层所使用的气体为正硅酸乙酯(TEOS)，也就是Si(OC2H5)4，又称四乙氧基硅烷。采用正硅酸乙酯沉积的二氧化硅薄膜具有良好的柔韧性和台覆性，因此被广泛的用于MOS器件中的侧墙隔离层及电容隔离层。

目前，使用低压化学气相沉积方法来沉积二氧化硅薄膜的工艺已经成熟，广泛的用于器件生产制作当中，其主要反应如下：

Si(OC2H5)4→SiO2+4C2H4+2H2O

正硅酸乙酯在常温下是一种液体，它在加热之后通过气相传输的方式进入低压炉管，再在低压高温的环境下进行分解反应，实现二氧化硅薄膜的沉积。但是目前普遍遇到的一个难题就是如何去降低沉积过程中所产生的颗粒。正硅酸乙酯分解时属于不完全反应和过量反应，在淀积薄膜的同时，也伴随着大量有机副产物气体分子和残余反应物蒸气的产生，这些副产物是容易冷凝的，为了避免它在炉尾管路内冷凝，通常在炉尾管路外面包上加热带，对管路进行保温，使之保持气体状态，并在加热管路后面设置过滤器(Trap)，用来过滤反应副产物。但是在优化前的管路设计中，很容易在作业和破真空出炉的过程中形成气流倒灌，导致携带尾部管路的制程残留物返回炉管，造成产品颗粒异常。

综上所述，目前在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量。

实用新型内容

本实用新型实施例提供的一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。

本实用新型提供的一种沉积二氧化硅薄膜的装置，包括：炉管1、闸阀2和过滤器3；

其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。

较佳的，所述闸阀2用于：

在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，从开启状态转成关闭状态。

较佳的，所述过滤器3用于：

在二氧化硅薄膜沉积时，过滤沉积二氧化硅薄膜反应过程中的残留物。

较佳的，所述装置还包括：与所述过滤器连接的泵4。

较佳的，所述泵4用于：

在二氧化硅薄膜沉积时，抽真空。

较佳的，所述炉管1用于：

在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，开启进气口使氮气进入。

较佳的，所述炉管1具体用于：

在闸阀2处于关闭状态一定时长后，开启进气口5使氮气进入。

较佳的，所述炉管1用于：

在进行破真空出炉时，开启炉门6。

由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。

附图说明

图1为本实用新型实施例第一种沉积二氧化硅薄膜的装置结构示意图；

图2为本实用新型实施例第二种沉积二氧化硅薄膜的装置结构示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例的沉积二氧化硅薄膜的装置中，将闸阀2置于炉管1和过滤器3之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。

下面结合说明书附图对本实用新型实施例作进一步详细描述。

如图1所示，本实用新型实施例第一种沉积二氧化硅薄膜的装置包括：炉管1、闸阀2和过滤器3。

其中，闸阀2处于炉管1和过滤器3之间。

较佳的，闸阀2用于：

在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，从开启状态转成关闭状态。

较佳的，过滤器3用于：

在进行二氧化硅薄膜沉积时，过滤沉积二氧化硅薄膜反应过程中的残留物。

较佳的，炉管1用于：

在二氧化硅薄膜沉积完成后，进行破真空出炉之前，开启进气口5使氮气进入。

在实施中，较佳的，炉管1在闸阀2处于关闭状态一定时长后，开启进气口使氮气进入。