[实用新型]半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具有效
| 申请号: | 201120162859.4 | 申请日: | 2011-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN202103027U | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 陈碧勋 | 申请(专利权)人: | 菘镱科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60;B23K37/04 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 黄挺 |
| 地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 封装 前段 工艺 钢线式热 压板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具,特别是指一种具有加大压持晶片与导线架作业空间防止撞针及且提高生产效率的半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具。
背景技术
如图1至图3所示;图1为公知半导体晶片封装前段焊线工艺的热压板冶具的立体示意图,图2为公知焊线作业的压板侧视截面示意图,图3为公知焊线作业的压板前视截面示意图。
由图可知,公知半导体晶片封装前段焊线工艺的热压板冶具1包含压板10、容置槽11、压条12及晶片容置口13,容置槽11呈上宽下窄的镂空形态,压条12以上、下间隔设置于容置槽11内,以间隔出形状、大小一样的晶片容置口13。
然而,因为焊线机台为高速的焊线作业,常造成焊线机台在移动导线架的过程中产生一定定位误差即跳格/排误差,使焊针14在晶片15与晶片15之间的移动过程中,常撞击到具有较大厚度的压条12,导致焊针14脱落或断裂的情形发生,进而影响焊线作业,降低产品生产效率。
此外,容置槽11呈上宽下窄的设计,使焊线机台在高速焊线作业在移动导线架的过程中产生一定定位误差即跳格/排误差误差时,容易导致焊针14撞击容置槽11的侧壁,同样也常有焊针14脱落或断裂的情形发生。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种具有加大压持晶片与导线架作业空间防止撞针及且提高生产效率的半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供的半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具,所述半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具,包含:
压板,设置有第一容置槽、第二容置槽、第一穿孔、第二穿孔、第三穿孔、第四穿孔、嵌合孔及容置孔,第一容置槽及第二容置槽为镂空形态。
旋固元件,设置有第五穿孔,且旋固元件嵌入于嵌合孔内。
线体,穿设于第一穿孔、第二穿孔、容置孔、第三穿孔、第四穿孔及第五穿孔之间。
作为优选方案,压板设置有焊线机台夹持孔。
作为优选方案,压板可为钢制材质。
作为优选方案,旋固元件可为钢制材质。
作为优选方案,线体可为钢制材质。
本实用新型主要利用外加一直径长度较小的线体穿设于第一穿孔、第二穿孔、容置孔、第三穿孔、第四穿孔及第五穿孔之间,且借由旋转旋固元件,使旋固元件紧密的缠绕线体不松脱并以替代传统机械加工的压条,致使线体于第一容置槽底部形成间隔设置的晶片容置口,当行焊线作业时,晶片容置口会容置欲焊线的晶片,而在高速焊线作业过程中,即使焊针在晶片与晶片之间的移动路径有偏差时即跳格/排误差,不会撞击到直径长度较小线体,以降低焊针脱针或断针的发生,并提高产品生产的效率。
如上所述,本实用新型具有如下有益效果:
1、本实用新型所述的半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具,直径约为0.3厘米的线体具有避免焊针的移动误差所造成焊针撞击线体的情况发生,可防止焊针脱针或断针,进而提高产品生产的效率。
本实用新型所述半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具,具有另一种结构,其包含有:
压板,设置有容置槽,容置槽的侧壁设置有开口,其中,容置槽底部有间隔设置的压条。
作为优选方案,压板为一体成形。
作为优选方案,压板设置有焊线机台夹持孔。
作为优选方案,压板为钢制材质。
作为优选方案,压条围设出至少一个晶片容置口。
本实用新型所述半导体晶片封装前段焊线工艺的钢线式热压板冶具的另一种结构,其压板主要为一体成形金属料经机械加工完成的形态,且于容置槽底部所设置的压条为极小的厚度及宽度,当行焊线作业时,晶片容置口会容置欲焊线的晶片,而在高速焊线作业过程中,即使焊针在晶片与晶片之间的移动路径有偏差时即跳格/排误差,不会撞击到厚度及宽度极小的压条,以降低焊针脱针或断针的发生,并提高产品生产的效率。
此外,容置槽侧壁开口为倾斜向外的设计,使焊针在焊线作业过程中发生路径偏移误差即横越压条往第一容置槽侧壁移动时,可借由倾斜向外设计的开口,使焊针有防撞击的缓冲空间,也可降低焊针脱针或断针的发生,并提高产品生产效率的效果。
如上所述,本实用新型具有如下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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