[实用新型]一种自举型门极驱动控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电能变换装置，特别涉及一种应用于同步整流电路的自举型门极驱动控制电路。 

背景技术

目前整流方案有两种类型，一种是二极管整流，另一种是同步整流。二极管整流通过二极管导通，同步整流使用门极驱动信号控制同步整流管的开通和关断，同步整流管一般使用MOSFET。在低压大电流场合，二极管正向压降一般无法进一步减小，故损耗较大；同步整流管的导通电阻较小，从而损耗较小。因此使用同步整流管功耗较小，从而具有更高的转换效率。同步整流管在工作区间有导通损耗、驱动损耗、开关损耗、体内二极管损耗，在重载时，负载电流较大，由此造成的导通损耗占很大一部分。轻载时，负载电流小，由同步整流管开通和关断造成的开关损耗、驱动损耗居于主导地位。同步整流相对于二极管节约的能量很少，甚至高于二极管损耗，在这种情况下需要停止同步整流，利用体二极管进行二极管整流。而且体二极管可以切断轻载时的负向无功电流通路，电感损耗和驱动损耗将显著减小，轻载效率会得到明显提升。N 沟道MOSFET开关管的导通条件是门极电压比源极电压高，当整流管为上位管时，一般采用自举电路为它提供驱动电压。图1为一已有技术中的自举型门极驱动电路，上位管和下位管公用一个脉宽调制波发生模块，于是不能通过关断脉宽调制波的方法关断上位管。因而需要有一种自举型门极驱动控制电路，在轻载时关断上位管的驱动输出，停止同步整流利用体二极管进行二极管整流，提高轻载时变换器的工作效率，同时不影响下位管的工作状态。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种自举型门极驱动控制电路。 

本实用新型的自举型门极驱动控制电路包括： 

一信号调制电路、一驱动控制电路、一自举型门极驱动电路，其连接方式为所述信号调制电路的输出端与所述驱动控制电路的输入端相连，所述驱动控制电路的输出端与所述自举型门极驱动电路的输入端相连，所述信号调制电路接受电信号，并根据此输出调制信号，所述驱动控制电路，接受所述调制信号，并根据此使能或者关断所述自举型门极驱动电路的上位管驱动。

优选的自举型门极驱动控制电路，还包括一具有上位管和下位管的开关管电路，其中所述上位管和所述下位管串联，所述上位管的门极与所述自举型门极驱动电路的上位管驱动连接，所述下位管的门极与所述自举型门极驱动电路的下位管驱动连接，所述自举电容的一端连接在。 

优选的信号调制电路包括：采样电路和比较判断电路，所述采样电路采样电信号并输出采样值至所述比较判断电路，所述比较判断电路将采样值与参考值比较并输出调制信号至所述驱动控制电路，其中所述电信号是电流或者电压。 

优选的驱动控制电路包括：MOSFET、PNP晶体管、限流电阻，其连接方式为所述MOSFET的门极接受所述调制信号，所述MOSFET的漏极与所述限流电阻的一端相连，所述限流电阻的另一端与所述PNP晶体管的基极连接，所述MOSFET的源极与电源负极连接，所述PNP晶体管的发射极和电源正极连接，所述PNP晶体管的集电极与所述自举型门极驱动电路的输入端连接，所述PNP晶体管的集电极作为所述驱动控制电路的输出端。 

优选的所述MOSFET接受信号调制电路的输出信号，当信号调制电路的输出信号为低电平时，MOSFET关断，使PNP晶体管关断；当信号调制电路的输出信号为高电平时，MOSFET导通，使PNP晶体管导通。 

优选的所述自举型门极驱动电路包含一自举二极管和一自举电容，所述自举二极管的阳极作为所述自举型门极驱动电路的输入端，与所述PNP晶体管的集电极相连，所述自举二极管的阴极和所述自举电容相连，当所述PNP晶体管导通时，自举电容的充电回路被使能，当PNP晶体管关断时，自举电容的充电回路被关断，自举电容上不能建立偏置电压。 

优选的所述自举电容充电回路包括：所述电源、所述PNP晶体管、所述自举二极管、所述自举电容、所述下位管，其连接方式为所述PNP晶体管的发射极和电源连接，集电极与所述自举二极管的阳极连接，并经自举电容和所述下位管连接。 

优选的当所述自举电容的充电回路被使能时，自举型门极驱动电路上位管驱动被使能；当所述自举电容的充电回路被关断时，自举型门极驱动电路上位管驱动被关断。 

本发明的有益效果：门极驱动控制电路可以根据信号调制电路的输出控制自举型门极驱动电路的上位管驱动电路的使能或者关断，而且不影响下位管的工作状态。 

 附图说明

图1现有技术的自举型门极驱动电路；