[实用新型]用于电容性负载的ESD防护电路有效
申请号: | 201120151195.1 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN202034777U | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 罗科 | 申请(专利权)人: | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02H9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电容 负载 esd 防护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于电容性负载的ESD防护电路,例如,用于MEMSVOA等电容性负载的ESD防护。
背景技术
静电放电ESD是英文electrostatic discharge的缩写,是通过一非传导表面瞬间所泄放的静态电流,静电放电会造成电路中电子元器件的损坏和性能的下降,其产生根源是多方面的,很多产品莫名其妙的损坏就与静电放电有关,因此,对静电放电的防护越来越受到各企业的重视。尤其当电子器件本身具有储电能力,即具有电容的特性时,例如光通讯领域里的MEMS VOA,MEMS TF等器件,则常规的ESD防护电路会存有放电不充分,电路结构复杂所导致的成本增加或排版难度增加等问题。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本实用新型提供一种用于电容性负载的ESD防护电路。
本实用新型的技术方案具体为:用于电容性负载的ESD防护电路包含一瞬态电压抑制器和一与所述瞬态电压抑制器并联的电阻,所述瞬态电压抑制器和所述电阻与所述电容性负载并联连接。
其中,所述电容性负载可以为MEMS VOA,MEMS TF等,所述瞬态电压抑制器可以采用一稳压二极管或一齐纳二极管或一TVS二极管来实现,也可以采用一压敏电阻来实现。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果是:当有静电放电时,瞬时高电压、大电流通过所述瞬时电压抑制器被引开释放掉,而残余的静电电压、电流则通过与所述瞬时电压抑制器并联的电阻而得到彻底释放,最终,使得负载器件避免了静电影响。因此,本实用新型所提供的ESD电路具体放电充分的优点,而且,本实用新型的电路结构简单,成本也较低些。
附图说明
图1是本实用新型所述ESD防护电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更进一步详细说明。
如图1所示,瞬时电压抑制器采用的是稳压二极管,将稳压二极管D1和电阻R1与负载器件VOA并联连接,其中,稳压二极管D1的负极与负载器件VOA的正极VOA+相连,其正极与负载器件VOA的负极VOA-相连,而且,从稳压二极管D1两端引出有两电极A和B。
当电极A点有瞬间高压涌入时,稳压二极管D5将A、B两点电压抑制在稳压二极管D1的反向击穿电压附近,同时,通过电阻R1将一部分电流引向电极B点。
而当电极B点有瞬间高压涌入时,稳压二极管D1则处于正向导通状态,其将大部分电荷从电极B点引向电极A点,同时,通过电阻R1将一部分电流引向电极A点。
当瞬间高压放电结束时,负载器件VOA两端的残余的电势差将通过R1逐渐释放掉,使负载器件VOA两极板最终达到平衡。从而,使负载器件VOA两极板免受因电压差过高而损毁的结果。
由于齐纳二极管和TVS二极管与稳压二极管一样,都具有在反向高压状态下产生齐纳雪崩的特性,压敏电阻也具有稳压管的伏安特性,因此,当稳压二极管改由齐纳二极管或者TVS二极管或压敏电阻时,也能对负载器件起到相同的保护作用,其工作过程与上述稳压二极管近似。
以上所述,仅为本实用新型最佳实施例而已,并非用于限制本实用新型的范围,凡依本实用新型申请专利范围所作的等效变化或修饰,皆为本实用新型所涵盖。
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