[实用新型]白光LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型属于化合物半导体LED生产技术领域，更具体地说，是涉及一种白光LED芯片。

背景技术

传统的白光LED为采用GaN蓝光芯片在封装时用混有荧光粉的胶体包裹起来，通电发蓝光后激发荧光粉后转化黄光与未能被激发的蓝光混合成白光的方式发射出来。请参见图1，其结构包括：P极1′，透明导电层2′，P-GaN层3′，LED发光层4′，N-GaN层5′，N极6′和蓝宝石衬底(Sapphire)7′，该芯片工艺为在蓝宝石(Sapphire)基板上采用MOCVD工艺生长，GaN外延发光层后经芯片化学、黄光、蒸镀、蚀刻等工艺制作金属电极，再经研磨、抛光、切割等工艺制作成单颗的芯片。请参见图2，现有的一种白光LED芯片为：将单颗的芯片11′采用封装工艺将芯片11′固定到PCB板或金属支架上经打线工艺再经荧光粉22′点胶封胶工艺后制作而成。该种白光LED芯片出光率较低，且因为芯片11′表面荧光粉22′厚度不一，即芯片表面受激发荧光粉22′的量不一，蓝光芯片11′激发荧光粉22′发出的黄光与未激发荧光粉溢出的蓝光混合的比例不一，必然会存在光斑现象。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种白光LED芯片，该种白光芯片的制作工艺简单易行，发光均匀且出光率高。

为解决上述技术问题，本实用新型的采用的技术方案是：提供一种白光LED芯片，包括依序层叠设置的蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层、透明电极层，以及设于所述透明电极层上的P-电极和设于所述N-GaN层上的N-电极，所述透明电极层上设有荧光粉硅胶层。

进一步地，所述的荧光粉硅胶层的厚度为：10μm-80μm。

进一步地，所述的白光LED芯片的侧面还设置有荧光粉硅胶层。

本实用新型提供的白光LED芯片的有益效果在于：本白光LED芯片结构将原SiO₂保护层用荧光粉硅胶层替代，让LED蓝光直接激发荧光粉以白光的方式发射出来，同时LED侧面发光同样可以被荧光粉硅胶层遮挡受激发而出白光，该种结构的芯片可大大提升白光在封装端的发光效率，芯片的发光效率综合提升16％以上，且发出的白光均匀；同时该芯片结构的生产成本较低。

附图说明

图1为现有的LED蓝光芯片的剖面结构示意图；

图2为现有的LED蓝光芯片封装成发白光芯片后的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的俯视结构示意图

图5为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中蚀刻前芯片的剖面结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中蚀刻后芯片的剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中制作好电极后芯片的剖面结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中制作好切割道后芯片的剖面结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中涂上荧光粉硅胶层后芯片的剖面结构示意图；

图10为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中涂布好光阻层后芯片的剖面结构示意图；

图11为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中除去电极上的光阻层后芯片的剖面结构示意图；

图12为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中除去电极上的荧光粉硅胶层后芯片的剖面结构示意图；

图13为本实用新型实施例提供的白光LED芯片的制作工艺中除去荧光粉硅胶层的光阻层后芯片的剖面结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参照图3及图4，为本实用新型提供的白光LED芯片剖面结构示意图及俯视图。所述白光LED芯片包括依序层叠设置的蓝宝石衬底1、N-GaN层2、LED发光层3、P-GaN层4、透明电极层5，以及制作于所述透明电极层5上的P-电极6和制作于所述N-GaN层2上的N-电极7，所述透明电极层5上设有荧光粉硅胶层8。