[实用新型]一种氧化铟锡透明电极无效
申请号: | 201120148053.X | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN202025805U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 范斌;倪斌;田清勇;白华;章春友;瞿光胤;范春琳;陈加坡;叶毅才 | 申请(专利权)人: | 厦门惟华光能有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/52 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361102 福建省厦门市翔*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 透明 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电极,尤其是涉及一种氧化铟锡透明电极。
背景技术
对于太阳能电池,特别是薄膜太阳能电池来说,由于中间半导体层几乎没有横向导电性能,因此必须使用氧化铟锡透明器件有效收集电池的电流。同时,氧化铟锡薄膜具有高透和减反射的功能,可让大部分光进入吸收层。但由于大部分氧化铟锡制品用于光电显示行业,精密度、适应性与电导率往往无法适应制备太阳能电池的需求。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种精密较高,可用于制作有机太阳能电池(OPV)的氧化铟锡透明电极。
本实用新型设有氧化铟锡层和透明衬底层,所述氧化铟锡层设在透明衬底层上,氧化铟锡层上表面的中间部分设有中间电极带,氧化铟锡层上表面的边缘部分设有8个边缘电极带。
所述氧化铟锡层的厚度可为10~300nm,所述氧化铟锡层的电导率可为1~50Ω。
所述透明衬底层的厚度可为0.3~5mm。
所述透明衬底层可为玻璃衬底层或塑料衬底层等。
本实用新型的长度可为5~500mm,宽度可为5~500mm。
所述中间电极带的长度可为5~500mm,宽度可为1~490mm;所述边缘电极带的长度可为1~490mm,宽度可为1~490mm。
由于本实用新型采用氧化铟锡层和透明衬底层两层结构,上层的氧化铟锡层的表面结构为多个块状分布,主要由中间部分的中间电极带和边缘的8个电极带组成,因此具有精密度较高、电导率较好等优点,是一种很好的透明导电器材,特别适合于OPV、OLED等需要液态共蒸发、涂布、匀胶、蒸镀、沉积等工艺的产品作为衬底或电极材料。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构组成示意图。在图1中,1为氧化铟锡层,2为透明衬底层。
图2为本实用新型实施例的氧化铟锡层上表面的结构示意图。在图2中,1为氧化铟锡层,11为中间电极带,12为边缘电极带。
具体实施方式
参见图1和2,本实用新型实施例设有氧化铟锡层1和透明衬底层2,所述氧化铟锡层1设在透明衬底层2上,氧化铟锡层1上表面的中间部分设有中间电极带11,氧化铟锡层1上表面的边缘部分设有8个边缘电极带12。
所述氧化铟锡层的厚度为10~300nm,所述氧化铟锡层的电导率为1~50Ω。
所述透明衬底层的厚度为0.3~5mm。
所述透明衬底层为玻璃衬底层或塑料衬底层等。
本实用新型的长度为5~500mm,宽度为5~500mm。
所述中间电极带的长度为5~500mm,宽度为1~490mm;所述边缘电极带的长度为1~490mm,宽度为1~490mm。
以下给出本实用新型的制备工艺:
首先将氧化铟锡玻璃切割成所需尺寸,再使用激光蚀刻工艺将氧化铟锡层除去,最后经过清洗,得到氧化铟锡透明电极。
本实用新型利用切割与激光蚀刻工艺将氧化铟锡玻璃进行切块处理与表面清除,制作成具有导电电路性质的氧化铟锡透明电极,该氧化铟锡透明电极的结构十分适合制作OLED与OPV的小片产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择