[实用新型]一种非制冷式红外焦平面阵列探测器有效
申请号: | 201120147997.5 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN202120912U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 黄立 | 申请(专利权)人: | 武汉高德红外股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/20 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 唐正玉 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外 平面 阵列 探测器 | ||
1.一种非制冷式红外焦平面阵列探测器,包括基底、桥面及桥腿,其特征在于:所述的桥腿的一边端部与桥面连接在一起,另一边端部通过锚柱连接在基底上;所述的基底为读出集成电路衬底,表面上设有反射膜层;所述的桥面是悬空在反射膜层的正上方,并与基底之间形成真空间隙层。
2.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥腿设置在桥面相对应的二侧上,且桥腿与桥面各自的下表面分布于同一平面上。
3.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥面从下到上依次为支撑层、吸收层、绝缘层、热敏感层和保护层。
4.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥腿从下到上依次为热阻层、导电层和钝化层。
5.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的锚柱由金属钨柱和氧化硅柱组成,该锚柱从内到外依次是金属钨和氧化硅材料。
6.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的真空间隙层的厚度为1.8~2.5μm。
7.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的锚柱在相平行于基底方向上的横截面为圆形、矩形或八边形。
8.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的基底表面上反射膜层的材料是铝、钛、金或金属合金,在8~14μm红外波段的反射率范围为80%~100%。
9.根据权利要求1所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥面、桥腿、锚柱及基底表面的反射膜层作为一个探测器单元,是以二维阵列的形式,排列在基底之上。
10.根据权利要求1-9之一所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥腿的一边端部与桥面的热敏感层电学相连,另一边端部通过锚柱实现与基底的读出电路之间的电学相连。
11.根据权利要求3所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征 在于:所述的热敏感层的材料为非晶硅、非晶锗硅或氧化钒。
12.根据权利要求3或4所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的桥面的支撑层与桥腿的热阻层采用同一材料,且为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅;桥面的吸收层与桥腿的导电层采用同一材料,且为氮化钛或镍铬合金;桥面的绝缘层与桥腿的钝化层采用同一材料,且为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅;桥面的保护层材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
13.根据权利要求3所述的非制冷式红外焦平面阵列探测器,其特征在于:所述的吸收层在桥面上是不连续的,被分割成若干部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的