[实用新型]一种高像素摄像模组COF封装基板无效
申请号: | 201120144234.5 | 申请日: | 2011-05-09 |
公开(公告)号: | CN202103050U | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 李金华 | 申请(专利权)人: | 厦门市英诺尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/12;H01L23/13 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 摄像 模组 cof 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及印制板领域,更具体的说涉及一种高像素摄像模组COF封装基板。
背景技术
在影像应用需求大幅提升的推波助澜下,60年代早已问世的影像传感器芯片,也再度受到市场重视,影像传感器芯片在系统中的作用,如同人的眼睛一样至关重要。
目前,影像传感器芯片的封装形式一般为COB和CSP封装,这两种封装方式均具有不可绕折的局限性,随着电子产品小型化和轻薄化,上述两种封装方式已经无法满足市场的需求。
针对上述问题,人们开发出了一种新型的封装方式,即COF封装,其除了具备COB和CSP相同的功能外,还能同时实现产品的小型化和轻薄化,尤其在高像素的摄像模组上,还具有动态绕折和静态绕折的性能,从而具有比COB和CSP封装优良的特性。
有鉴于此,本发明人为了适应COF封装,特潜心研究能适用于高像素摄像模组的COF封装基板,本案由此产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高像素摄像模组COF封装基板,其适用于高像素摄像模组,并具有动态和静态绕折性能。
为了达成上述目的,本实用新型的解决方案是:
一种高像素摄像模组COF封装基板,其中,包括:
软板芯板以及分别位于软板芯板上下两侧的第一硬板基材和第二硬板基材,该第一硬板基材和第二硬板基材均通过粘胶层而粘结在软板芯板上;
该软板芯板具有绕折区,该第一硬板基材和第二硬板基材在对应于绕折区的位置处开设有开窗;
该软板芯板包括软板基材以及分设于软板基材上下两侧的第一铜箔层和第二铜箔层,该第一铜箔层上方贴设有第一覆盖膜,该第二铜箔层下方贴设有第二覆盖膜,该第一铜箔层供影像传感器芯片封装于其中,该第一铜箔层形成有供COF封装的邦定手指区,该第一覆盖膜和第一硬板基材在对应于邦定手指区处都呈镂空状。
进一步,该COF封装基板上端部和下端部分别形成有用于承载安装连接器的顶板和底板。
进一步,该COF封装基板在顶板上方和底板下方都形成有S/M层,该S/M层上形成有焊盘空间。
进一步,该COF封装基板上还具有接地补强钢片,该接地补强钢片与第二铜箔层电连接。
进一步,该第一硬板基材和第二硬板基材均选用FR4。
进一步,该软板基材为PI层。
采用上述结构后,本实用新型涉及一种高像素摄像模组COF封装基板,该影像传感器芯片封装在第一铜箔层中,其通过在第一铜箔层上设置邦定手指区,从而能实现COF封装影像传感器芯片,同时由于该软板芯板上设置有绕折区,故还具有动态和静态绕折性能。
附图说明
图1为本实用新型涉及一种高像素摄像模组COF封装基板较佳实施例的结构示意图;
图2为本实用新型涉及高像素摄像模组COF封装基板的制成方法的流程框图。
图中:
COF封装基板 100
软板芯板 1 绕折区 11
软板基材 12 第一铜箔层 13
邦定手指区 131 第二铜箔层 14
第一覆盖膜 15 第二覆盖膜 16
第一硬板基材 2 第二硬板基材 3
粘胶层 4 开窗 5
顶板 6 底板 7
S/M层 8 焊盘空间 81
接地补强钢片 9。
具体实施方式
为了进一步解释本实用新型的技术方案,下面通过具体实施例来对本实用新型进行详细阐述。
如图1所示,其为本实用新型涉及一种高像素摄像模组COF封装基板的结构示意图,该COF封装基板100包括软板芯板1、第一硬板基材2和第二硬板基材3,该第一硬板基材2和第二硬板基材3分别位于软板芯板1的上下两侧,该第一硬板基材2和第二硬板基材3均通过粘胶层4而粘结在软板芯板1上;具体的,该第一硬板基材2和第二硬板基材3采用的为单面基材CCL,其材质选用FR4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的