[实用新型]一种大功率LED封装基板有效
申请号: | 201120144220.3 | 申请日: | 2011-05-09 |
公开(公告)号: | CN202084575U | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 李金华 | 申请(专利权)人: | 厦门市英诺尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 led 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED封装领域,更具体的说涉及一种大功率LED封装基板。
背景技术
随着社会的高速发展,节能减排已经成为主旋律。作为半导体发光器件的LED,其能让很小的通过电流几乎全部转化成可见光,而具有高光效、高节能、光色多、安全性高、寿命长、快速响应和运行成本低等特性,故LED目前正被广泛推广应用。
目前,低功率LED器件主要是以银浆固晶或者回流焊而将晶粒的引脚固定在印制电路板上,该印制电路板的基板介质层一般都是添加了有机材料的陶瓷粉末,其导热率一般仅为2.3w/m.k,即具有导热率低和阻热系数高的问题,同时由于银浆不耐高温老化,故还存在热能无法有效传递给热沉。
有鉴于此,本发明人针对现有LED器件在封装时的上述缺陷深入研究,遂有本案产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种大功率LED封装基板,以解决现有技术中导热性差以及因银浆不耐高温而造成可靠性差的问题。
为了达成上述目的,本实用新型的解决方案是:
一种大功率LED封装基板,其中,包括导热基材和层叠于导热基材上的单面基材,该单面基材上具有晶粒让位孔,该导热基材对应于晶粒让位孔处形成有供晶粒焊接于其上的固晶区域,该固晶区域上电镀形成有镀银层。
进一步,该单面基材上还形成有供与晶粒相连的焊盘。
进一步,该导热基板采用紫铜基板。
进一步,该单面基材采用CCL或FCCL。
采用上述结构后,该晶粒的底部可先形成接触面镀层,该接触面镀层具体可以采用纯锡(Sn)或者金锡(Au-Sn)合金,由此可以采用共晶焊接的方式,当导热基材通过回流焊被加热至适合的共晶温度时,该镀银层中的银元素渗透到晶粒中的金锡合金层,由此则会使得合金层成分的改变并起到提高熔点的功效,令共晶层固化并将LED紧固地焊接于导热基板上。由此,本实用新型能让晶粒紧固在导热基板上,即具有可靠性强的功效,同时亦能大大提高LED的导热性。
附图说明
图1为本实用新型涉及一种大功率LED封装基板的结构示意图;
图2为本实用新型涉及一种大功率LED封装基板的制成方法原理框图。
图中:
封装基板 100 导热基材 1
固晶区域 11 镀银层 12
单面基材 2 晶粒让位孔 21
焊盘 22
晶粒 200 邦定线 210
接触面镀层 220。
具体实施方式
为了进一步解释本实用新型的技术方案,下面通过具体实施例来对本实用新型进行详细阐述。
如图1所示,其为本实用新型涉及的一种大功率LED封装基板100,包括导热基材1和单面基材2,该单面基材2层叠于导热基材1上,该单面基材2上具有晶粒让位孔21,该导热基材1形成有固晶区域11,该固晶区域11对应于晶粒让位孔21,具体是呈上下正对状,该固晶区域11具体是提供晶粒200设置的空间并通过该固晶区域11而与导热基材1相连,从而能将LED产生的热量通过导热基材1而传导出去,该固晶区域11上还电镀形成有镀银层12。
具体地,该单面基材2上还形成有焊盘22,通过该焊盘22和邦定线210能轻松实现晶粒200与单面基材2之间的电连接,进而达到控制LED工作的功效。该导热基材1具体可以选用紫铜基板,该单面基材2则可以采用CCL或FCCL。
另外,为了实现本实用新型的目的,该晶粒200的结构亦需要做相应的调整,该晶粒200的底部需先形成接触面镀层220,该接触面镀层220具体可以采用纯锡(Sn)或者金锡(Au-Sn)合金。
由此,本实用新型可以采用共晶焊接的方式,当导热基材1通过回流焊被加热至适合的共晶温度时,该镀银层12中的银元素会渗透到晶粒200中的金锡合金层,由于银元素的渗透,使得金锡合金层的成分有所改变,由于成分的改变会提高整个合金的熔点,进而使得共晶层固化而将LED紧固地焊接于导热基板上。由此,本实用新型能让晶粒200紧固在导热基板上,即具有可靠性强的功效,同时亦能大大提高LED的导热性。
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