[实用新型]TFT-LCD阵列基板、液晶面板及显示设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶面板技术领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板、液晶面板及显示设备。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在平板显示器市场占据了主导地位。随着技术的进步，消费者对移动性产品的显示效果提出更高要求，普通的TN型液晶显示器显示效果已经不能满足市场的需求。目前，各大厂商正逐渐将显示效果更优良的各种广视角技术应用移动性产品，如IPS、VA、AD-SDS等广视角技术。

在众多的广视角技术中，高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

AD-SDS通过在透明电极间产生边缘电场，使透明电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平行于基板和倾斜于基板的平面方向产生旋转，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。为了进一步增大视角，改善显示效果，AD-SDS技术将第二层透明电极(2nd ITO，像素电极)的斜纹状图案改为多畴模式，如图1所示，包括：公共电极(第一层透明电极)1、栅极线2、与所述栅极线2垂直的数据线3、半导体层4、过孔层5、像素电极6。一般像素电极6与栅极线2或数据线3所呈的角度在7°～15°之间。当然，也可以第一层透明电极为像素电极，第二层透明电极为公共电极，公共电极为多畴模式的斜纹状图案。即，本领域的技术人员可以根据需要对像素电极的位置进行设置。

在AD-SDS阵列基板的制造过程中，像素电极的曝光和刻蚀后关键尺寸(Critical Dimension，简称CD)是一个关键的工艺参数，直接影响到最终面板的显示效果。关键尺寸，一般是指像素电极的斜纹状图案的宽度以及相邻两个斜纹状图案之间的距离。如果面板内部的CD不均匀，会导致像素电极与公共电极之间的电场不均匀，从而导致面板在显示出现亮度不均匀，影响显示品质。但是，这样具有一定角度的像素电极增加了曝光和刻蚀后测量光刻胶关键尺寸时的测量难度，测量结果与实际值偏差较大，并且容易产生测量错误，使得自动测量常常难以进行，只能采取手动测量的方式进行。手动测量耗费时间，并且人为因素干扰过大，使得产品的生产节拍受到严重影响。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是：如何自动、准确地测量像素电极在曝光和显影后的关键尺寸。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括：公共电极(第一层透明电极)、栅极线、与所述栅极线垂直的数据线、半导体层、过孔层、像素电极(第二透明电极)，在所述TFT-LCD阵列基板的每个像素单元结构中增加至少一个用于测量像素电极的关键尺寸的图案层，所述图案层和所述像素电极处于同一层，所述图案层中的图案像素电极与所述栅极线垂直或平行，并与所述TFT-LCD阵列基板中所有电极绝缘。

其中，所述图案层位于所述数据线上方，且所述图案像素电极与所述栅极线垂直。

其中，所述图案层位于所述数据线上方，且所述图案像素电极与所述栅极线平行。

其中，所述图案层位于所述栅极线上方，且所述图案像素电极与所述栅极线垂直。

其中，所述图案层位于所述栅极线上方，且所述图案像素电极与所述栅极线平行。

其中，在TFT-LCD阵列基板的每个像素单元结构中若有N个所述图案层，其中M个图案层的图案像素电极与所述栅极线垂直，其余的图案层的图案像素电极与所述栅极线平行，N≥2，且M＜N。

其中，在TFT-LCD阵列基板的每个像素单元结构中若有N个所述图案层，其中P个图案层的在所述数据线上方，其余的图案层在所述栅极线上方，N≥2，且P＜N。

其中，所述图案像素电极的关键尺寸值和所述像素电极的关键尺寸值大小相同。

本发明还提供了一种液晶面板，所述液晶面板中的阵列基板为上述的TFT-LCD阵列基板。

本发明还提供了一种显示设备，所述显示设备中的液晶面板为上述的液晶面板。