[实用新型]一种开方机中多晶硅锭的放置结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅锭切方的加工技术，具体涉及一种开方机中多晶硅锭的放置结构。

背景技术

多晶硅锭在铸锭炉内生产过程中，在惰性气体环境下，将石英坩埚内的半导体材料硅融化；通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而控制晶体由下往上定向生长，在生长过程中，硅料中含有的杂质会自动聚集到多晶硅锭的上表面。若多晶硅锭不翻转，直接放入开方机中开方，会造成多晶硅棒暗裂、拉锭的现象发生。

发明内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种开方机中多晶硅锭的放置结构，解决了因多晶硅锭在开方前没有翻锭所引起的多晶硅棒暗裂、拉锭，从而影响产量和增加了生产成本等问题。

本实用新型采用的技术方案是：一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭、晶托和杂质层，所述多晶硅锭的下表面设置有杂质层，所述杂质层的下表面与所述晶托固定连接。

本实用新型通过发泡剂将多晶硅锭与晶托粘牢后放入多线开方机中，开方机通过钢线将硅锭切成25个多晶硅棒。当钢线切至晶托与多晶硅锭连接处时，多晶硅锭底部的部分一般都会出现暗裂和拉锭的现象。多晶硅锭翻转后再开方时，出现暗裂和拉锭的部分就会在杂质层中，而在下一道工序中杂质层会被切除，所以即使出现暗裂和拉锭现象也不会对产品的合格率、产量等产生影响。

有益效果：本实用新型将多晶硅锭翻转再与晶托粘牢后放入开方机中开方，提高了产品的合格率，增加了产量，降低了生产成本。

附图说明

附图为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明：

如附图所示：一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭1、晶托2和杂质层3，所述多晶硅锭1的下表面设置有杂质层3，所述杂质层3的下表面与所述晶托2固定连接。